美国一直都在试图遏制中国芯片的发展，近期美国总统拜登拉拢了日本和荷兰限制先进芯片设备供应，以为如此做就能阻挡中国芯片的发展，然而中国芯片却在近期公布了好几项技术进展，让美国的图谋落空。

中国最大的芯片企业传出量产12纳米工艺，相比起此前14纳米工艺再进一步，显示出美国限制芯片设备和芯片材料的供应并未能阻止中国发展先进工艺，中国芯片行业反而因此激发了潜力，加速了芯片工艺研发进程。

中国量产12纳米工艺与台积电的3纳米工艺固然有好几代的差距，但是与美国的芯片制造工艺差距却不太大，美国芯片龙头企业Intel量产的最先进工艺不过是10纳米工艺，如此以来中国和美国的芯片制造工艺方面不相伯仲。

业界人士指出全球有七成的芯片都是以28纳米以上成熟工艺生产，14纳米工艺则能满足中国九成的芯片需求，12纳米工艺将进一步增强中国芯片的竞争力，据称中国完全自研的龙芯3A6000就正在以国产的12纳米工艺流片，而性能方面可以达到Intel的11代酷睿i5的水平。

中国还在加快完善芯片制造产业链，光刻机这个芯片制造的短板正在取得突破，28纳米光刻机已投产，28纳米光刻机就是浸润式光刻机，浸润式光刻机技术可以升级到7纳米，这也意味着国产光刻机推进7纳米将很快变成现实，实现芯片工艺完全国产化，美国以ASML的光刻机阻止中国先进工艺发展的做法即将失效。

在推进现有的硅基芯片技术之外，中国积极发展先进芯片材料，以绕开ASML的EUV光刻机，也已取得了进展。近期西安邮电大学攻克了第四代半导体材料氧化镓，氧化镓具有功率转换效率高，成本低以及热稳定性高等特点，可以有效提升芯片性能。

第四代半导体材料对于人工智能、量子计算等先进芯片技术的发展至关重要，可以提供更强的算力、更小的体积和更低的功耗，中国研发成功第四代芯片材料将可以绕开EUV光刻机，为这些新兴技术领域提供支持。

此外中国还在光子芯片技术方面取得了进展，北京一家芯片企业已筹建全球第一条光子芯片生产线，光子芯片的性能较硅基芯片高1000倍、功耗却只有硅基芯片的千分之一，显示出中国正在多条技术路线上推进先进芯片技术，确保开发先进芯片技术能取得成功。

中国在芯片材料技术方面的进展让外媒吃惊，他们没有想到中国在传统硅基芯片技术研发方面仍然相对落后的情况下，却突然在芯片材料方面取得突破，实现了弯道超车，最终将有望在芯片技术方面反超美国，这让拜登的图谋成为泡影。

中国芯片行业相对于其他经济体的优势在于基础扎实，依靠国内早年对工业基础的打造，以及庞大的规模，在基础研究方面长久维持下来，厚积薄发之下如今取得了成果，如今美国施加的压力更是激发了中国芯片行业的潜力，将诸多芯片技术付诸生产，从而取得了令人吃惊的进展。