受存储芯片需求持续萎缩影响，三星电子4月7日公布的公布的未经审计的第一季度初步业绩报告显示，其今年一季度营业利润同比暴跌95%至6000亿韩元（约4.555亿美元），创下2009年金融危机以来最低记录。为了挽回业绩颓势，三星也被迫宣布对存储芯片进行减产，这也是自1998年金融危机以来，首次正式进行减产。但是，三星并未公布具体的减产规模。
近日，三星公布了正式的一季度财报，显示其三星电子第一季度营业利润为6402亿韩元，较上年同期的14.12万亿韩元下降95%。营收下降 18%，至63.74万亿韩元。净利润为1.57万亿韩元，同比下降86.1%。
其中，三星电子在第一季度的芯片业务亏损额高达4.58万亿韩元（约合人民币236亿元），这也是三星半导体业务14年来的首次亏损。
这足以显示存储芯片市场持续下滑对于三星整个半导体业务的负面影响，这也是迫使三星不得不宣布减产的关键。
三星等大厂减产
此前，韩国《中央日报》 引用市场人士的说法指出，三星的DRAM减产计划将聚焦在 DDR4 的标准型DRAM上，具体将会对韩国华城园区内的DRAM产线进行减产，预计将减产3至6个月的时间，与2022年2月和3月的产能水平相比，三星的晶圆总投入量将减少5-7%。
另据韩国媒体BusinessKorea报道称，今年二季度，三星将大砍西安厂产能，其中西安一厂（Xian Plant 1）月产能预计会下修至110,000片，较去年四季度的125,000片减少12%；西安二厂（Xian Plant 2）月产能则预料会从145,000片减产7%至135,000片。目前西安厂占据三星NAND Flash总产量的40%，主要生产128-layer（V6）NAND Flash。
不过，以上的减产计划并未得到三星官方的承认。
据《韩国先驱报》（The Korea Herald）报导，三星在上周四的一季度财报电话会议上再度表示，将开始削减存储芯片产量，但仍未具体说明减产规模。
但据韩国分析师预计，三星预计最多将削减高达25%芯片产量以缓解库存问题，这相比之前外界曝光的减产幅度大幅提高。
据Daishin Securities 分析师 Wi Min-bok最新预测，与去年同期相比，三星今年上半年减产幅度可能介于20～25%之间。
KB Securities 估计，三星4～6月期间NAND Flash产量将比同期下降15%，DRAM产量将从第三季度开始下降20%以上。
三星证券分析师 Hwang Min-seong 预测，若减产未能降低客户库存量，之后可能会持续更多减产行动。
虽然三星预计今年下半年客户芯片库存用尽，届时将重新开始采购芯片，但目前全球芯片市场仍未出现全面复苏迹象。
值得注意的是，去年下半年，铠侠、美光等存储芯片大厂已经相继宣布了减产计划，SK海力士似乎也在进行减产，并将今年的资本支出削减了50%。
行业需求有望下半年回暖
近日，长江存储首席运营官程卫华对外表示，预计2023年全球闪存需求将回暖，供需趋于平衡。
全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示，NAND Flash市场自2022年下半年以来面临需求逆风，供应链积极去化库存加以应对，此情况导致第四季NAND Flash合约价格下跌20~25%。
进入2023年第一季度，集邦咨询指出，铠侠、美光产线持续低负载，西部数据、SK海力士将跟进减产，有机会缓解目前供给过剩的情况，NAND Flash均价跌幅也将收敛至10~15%。
经历过2022年“寒冬”之后，存储厂商在最新财报中普遍对2023年存储市场抱有相对乐观的展望。
虽然预计宏观经济的不确定性将持续存在，但三星预计需求将在下半年开始复苏，主要集中在HPC和汽车行业。
SK海力士表示，虽然今年上半年的低迷市况在持续深化，但从全年整体来看，预计市况会越到下半年就越好。此外，SK海力士预测，IT企业将增加与产业高点相比价格大幅下降的存储器半导体的使用量，市场需求也将逐渐回升。
美光预计未来几个月内存储器需求趋势将逐步好转，因为客户库存水平将改善，新的CPU平台推出，中国的需求随着经济的重新开放而开始增长。
三大巨头正推动DDR5内存普及
美光、SK海力士虽削减支出以应对半导体“寒冬”，但依然在积极布局DDR5。美光以1α nm工艺打造的DDR5存储器进入客户验证，将应用在AMD EPYC 9004系列存储器上；SK海力士开发出数据传输速率达8Gbps的服务器DDR5内存模组，传输速度较之前的产品提高了80%。
东方证券指出，目前存储价格接近底部，预计需求将环比改善。其中，DDR5替换周期已开启。目前每台DDR5服务器平均配备10多个内存条，每台PC配备1-2个内存条，PC和服务器的替换将带动内存接口芯片和相关存储模块量价齐升。
根据国外科技媒体 SamNews24 报道，行业专家认为三星电子、SK 海力士和美光三家公司正大力推动 DDR5 内存普及，以此遏制半导体市场下滑的趋势。
DDR5 DRAM 是联合电子设备工程委员会（JEDEC）推出的最新 DRAM 规范，其性能比 DDR4 DRAM 高了一倍。
DDR4 DRAM 当前占据了内存市场的大部分份额。业内人士认为通过提高 DDR5 内存的产量，普及 DDR5 内存，可以刺激 DDR5 DRAM 的替换需求。
在此附上市场研究公司 OMDIA 此前公布的数据，今年 DDR5 DRAM 将占 DRAM 市场的 12%，高于 2022 年的 3%。预计到 2024 年将增长到 27%，超过 DDR4（23%）。
