消息称三星将公布第二代3nm制程进度，性能较4nm提高22%。台积电5月11日在技术论坛上表示，自家3nm制程（N3）将实现快速且顺畅的产能提升，良率将比肩5nm技术。

据钜亨网报道，台积电先进技术暨光罩工程副总经理张宗生表示，台积电N3在量产阶段，产能在手机和高性能计算应用驱动下将迅速提升，良率将领先业界，很快就可以比肩5nm技术。

台积电业务开发资深副总经理张晓强表示，台积电N3是全世界最领先的技术，N3家族中的N3E已通过技术验证，达成性能与良率目标，并收到第一批客户产品设计定案，将在下半年量产，在迈入量产的前三年，N3E新品设计定案数量将是5nm同时期的1.5至2倍。

张晓强补充表示，包括手机、高性能计算客户都积极采用N3制程，踊跃程度胜过5nm制程同期，车用芯片客户也期待推进3nm制程。台积电应业界需求推出首个基于3nm制程的Auto Early技术——N3AE，提供以N3E为基础的汽车制程设计套件，将有助缩短客户产品上市时间2-3年。

除先进制程，台积电也持续提升特殊应用制程产能。张宗生指出，2017年到2022年，台积电对特殊制程技术投资的年复合成长率超过40%，到2026年，预计将特殊制程产能提升近50%。另外，台积电也积极扩充3D Fabric先进封装产能，预计至2025年无尘室面积将增为2021年的2倍以上。