一直以来，很多业内人士对台积电、三星的工艺制程，是持怀疑态度的，那就是5nm是真的5nm么？3nm又是真的3nm么？

要知道在专业人士的认识中，芯片工艺是多少XXnm，是指从源极到漏极（也就是栅极宽度）是多少XXnm，这是一一对应的。

而很多人去分析台积电、三星的先进工艺芯片，发现并没有一一对应起来，所以才产生了这样的怀疑。

而事实上，之前高通就表示过，别太相信代工厂的工艺，他们喜欢将数字弄得小一点，台积电、三星都有类似问题，只有英特尔是清白的。

但真正承认这个问题的，还是台积电自己，在2019年的时候，台积电的技术研究副总经理黄汉森就表示过，XXnm其实与晶体管栅极已经不是绝对相关了。

意思就是现在的XXnm，更多的还是晶圆厂自己来定义的，并不是一定就指栅极宽度是XXnm。

这事情就有意思了，所以我们发现，不同的晶圆厂，在相同的芯片工艺上，晶体管密度不一样，如下图所示，大家可以清楚得看到。

同样是7nm，台积电工艺可以达到0.97亿个晶体管每平方毫米，而三星只有0.95亿个每平方毫米，但英特尔可以达到1.8亿个每平方毫米，而越到后面，差距越大，特别是三星，相比友商，密度越来越小。

这对于英特尔而言是非常不利的，毕竟大家只看表面的工艺，那么英特尔怎么办？于是也想了一招，不再将工艺严格对应栅极宽度了，于是改名。

比如英特尔就将原本的7nm工艺，改成Intel 4，对应的其实也就是台积电、三星的4nm工艺。

在2022 IEEE VLSI研讨会上，Intel正式表示，Meteor Lake移动版和桌面处理器将采用Intel 4工艺（本质是7nm工艺）。

而从其公布的参数来看，其晶体管密度等指标方面，所谓的intel4，基本上与台积电的4nm工艺相接近，高于三星的4nm，我们完全可以认为是等同于4nm EUV工艺。

同时intel也表示，Intel 4相较于Intel 7（其实是10nm的12代酷睿），同等功耗下的频率可以高出20%。

不得不说，英特尔终于也学聪明了，学会了台积电、三星的营销游戏，不再死守规则，硬要将栅极宽度与XXnm对应起来了。

不过英特尔的这一举动，也算是掀开了台积电、三星在工艺上的遮羞布了，你觉得呢？不过接下来，三大厂都这么干了，也就不存在遮羞布这一说，天下乌鸦一般黑了啊。

问题来了，后续还有谁来掀开这块遮羞布呢？