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与ASML相比,国产光刻机,究竟达到了什么水平?
2023-06-21 来源:只谈数码科技
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关键词:光刻机芯片中芯国际

众所周知,在芯片的制造过程中,光刻机是最重要且必不可少的一种设备,从成本来看,光刻机占所有芯片制造设备的22%左右。


成本高,占比重还在其次,最重要的是,全球能够制造光刻机的厂商并不多,也就那么几家,而用于10nm以下工艺的EUV光刻机,全球只有ASML一家能造。




这问题就严重了,意味着所有想生产10nm以下芯片的厂商,必须找ASML买光刻机,买不到的话,在当前的技术条件下,就无法进入到10nm,这才是问题的根本。


因为大家都懂的原因,我们是找ASML买不到EUV光刻机的,所以大家都明白,国产光刻机必须崛起,否则中国芯片产业无法崛起。




那么问题就来了,目前国内的光刻机水平,究竟什么样了,与ASML相比,究竟差距有多大?


先说说全球的光刻机格局,目前全球光刻机市场基本都由荷兰ASML、日本尼康和佳能公司完全垄断,而国内的上海微电子产的光刻机,市场占有率基本可以忽略,特别是在芯片制造光刻机这一块,更多用于封测、光刻胶生产等领域。


2022年全球前道光刻机,一共出货量约为551台,其中ASML一共出货了345台,占比为63%;而佳能出货量为176台,占比为32%。尼康仅出货30台,占比约为5%。


而中国厂商上海微电子,没有统计在内,也就意味着远低于尼康,我们甚至基本可以认为是0。




而7nm及以下的EUV光刻机,只有ASML能生产。尼康的水平是生产浸入式光刻机,标称精度是28nm,经多重曝光,一般也只用于14nm。


而佳能生产的光刻机,标称精度是90nm,经多重曝光,最多也只用到65nm左右,这就是这三大光刻机厂商的情况。


而国内最牛的是上海微电子,已公开量产的光刻机标称精度是90nm,经多重曝光,最多也只用到65nm,与佳能一致,但多重曝光还会导致良率显著降低,导致成本飙升。




但之前有媒体报道称,上海微电子已经在生产28nm的光刻机,多重曝光光后生产7nm芯片,预计在2021-2022年交付,但没具体的报道,所以不能乱说。


所以当前国内明面上的光刻机水平就是90nm,就算多重曝光,最多也就是65nm,考虑到ASML的DUV光刻机是不受限的, 估计没谁买90nm的,来生产65nm的光刻机。所以,差距真的是非常非常大。


事实上,EUV光刻机一共有10多万个零件,而ASML有5000多供应商,可见要生产一台EUV光刻机,真的不容易,但再难,这个关我们也必须冲过去。



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