6月24日，据日经新闻报道，日本政府支持的日本投资公司（JIC）正商谈以1万亿日元（约500亿人民币）收购用于半导体生产的光刻胶生产公司JSR（捷时雅）。日本投资公司计划最早今年提出初步收购意向。如果进展顺利，JSR可能会在2024年被东京证交所摘牌。

据报道，JIC将向收购JSR的新公司投资约5000亿日元，瑞穗银行将出资超过4000亿日元。如果收购成功，JIC将成为全球最大的光刻胶供应商之一，对半导体产业的竞争格局可能产生重大影响。

6 月 26 日，日本半导体材料巨头 JSR 正式宣布，公司管理层已接受日本官民基金产业革新投资机构（JIC） 1 万亿日元（当前约 502 亿元人民币）的收购邀约。

JIC 表示，将在今年年底前对 JSR 股票进行公开收购，JSR 将在明年夏季从东证一部退市。JIC 希望，完全获得 JSR 的经营权，提高日本在半导体材料领域的竞争力。

JSR 是全球仅有的四家 EUV 光刻胶供应商之一，其产品是制造先进芯片必不可少的原料。此外，JSR 在用于 130 nm – 7 nm 工艺的 ArF 光刻胶领域以 30% 的市场份额位居全球第一。


今年12月发起要约收购，JSR计划5~7年重新上市

JIC在一份声明中写道，芯片材料是支撑日本工业竞争力的生命线，收购要约将使JSR能够加速大胆的中长期战略投资，而无需考虑对业绩的短期影响。

JIC是2018年设立的基金，由200亿美元政府资金支持，旨在投资日本企业，以提高国家竞争力。它接替了2009年成立的旨在促进新产业和业务整合的临时计划的日本创新网络公司（INCJ）的角色。JIC主要专注于投资初创企业和风险投资基金，曾与私募股权公司Japan Industrial Partners联合参与了东芝私有化的竞购，但后来因收购后策略存在分歧而退出。

该公司计划于今年12月底发起要约收购，报价为每股4350日元（折合约30.40美元），较周五收盘价溢价约35%。瑞穗银行、日本开发银行（DBJ）等将提供融资。

JSR首席执行官埃里克·约翰逊（Eric Johnson）是罕见的非日本出生的日本公司负责人，他称自己的目标是在5~7年内让JSR重新上市。

他说，随着竞争对手的整合和研发成本的增加，JSR已经意识到重组公司的“战略必要性”，日本材料行业需要整合和集中资源以开发新技术，JSR和JIC打算加快这一进程，并在本土推动变革，以更好地应对全球竞争对手。

约翰逊在周一晚间举行的新闻发布会上谈道：“我们人数众多，所有人都在冗余地花钱，因此我们认为提高效率的机会是巨大的。”

JIC为什么要收购JSR

据一位资深研究JIC的人士总结，每当日本一个行业走下坡路或者竞争激烈到一定程度的时候，将由产业革新机构（JIC前身）引导将该行业部门从相关母公司剥离出来，母公司退出该行业专门成立一个由各家公司控股的专业联合公司，专门进行该行业技术的研发生产销售。

JSR成立于1957年，成立之初是一家由日本政府支持的合成橡胶制造商。现在该公司向全球芯片制造商供应光刻胶，在ArF光刻胶产品市场中，JSR以近30%的市场份额位列全球第一，客户包括三星、台积电、英特尔等。

日本公司对半导体材料近乎垄断的地位威名在外：前段工序常用的材料有19种，其中14种都由日本企业主导。

但，这种垄断正逐渐被打破——

面对日本的光刻胶封锁，韩国政府牵头大搞国产替代，一口气投入了6万亿韩元的预算，三星也跟着投资了一批韩国本土的半导体材料企业，成功研发出了国产版本的高纯度氟化氢和EUV光刻胶。

经过几年沉淀，目前我国已有好几家光刻胶厂商表示，已经完成了45nm及以上工艺ArF光刻胶的量产。就在前段时间，我国光刻胶大厂南大光电再次对外宣布，已经完成了28nm及以上工艺ArF光刻胶的研发。也就是说目前在光刻胶领域，我们已经实现了28nm及以上工艺中低端芯片的覆盖。

所以JIC收购JSR更多是为了保护日本在光刻胶领域的技术优势和市场份额，筑高围墙，防止被其他国家特别是来势凶猛的中韩所超越；同时也是为了加大支持日本的半导体产业发展，集中优势兵力提供更高质量和更稳定供应的光刻胶产品。


日本半导体要力挽狂澜？

很明显，日本政府“国有化”JSR能够帮助Rapidus提升竞争力。Rapidus是由丰田、NTT、Sony、铠侠、软银、NEC、电装、三菱日联银行等8家日企成立的半导体公司，该公司与IBM于2022年12月签署了技术协议，合作发展2纳米半导体技术。

据报道，Rapidus计划派出100名工程师到IBM获取2纳米芯片生产所需的全环绕栅极（GAA）技术。GAA技术被认为是FinFET工艺的继承者，该技术透过降低供电电压级以及增加驱动电流能力以提升性能，从而突破FinFET的性能限制。

和FinFET工艺相比，GAA技术有两大突出的优势：其一是GAA晶体管解决了许多有关泄漏电流的挑战，因为GAA通道采用水平架构；其二是相较于当前FinFET制程中的三个侧面，GAA晶体管的四个侧边都被栅极包围着，从而改善了晶体管的结构。

业界普遍认识，2nm工艺将必须使用GAA技术。值得注意的是，IBM在2021年就曾展示过基于GAA实现2nm工艺的技术原型，如今IBM计划将这项技术共享给Rapidus。

基于和IBM合作的技术，Rapidus将成为先进制程的有力竞争者。不过，日本财团Rapidus负责人小池淳义表示，Rapidus计划基于IBM 2nm工艺技术开发“Rapidus 版”制造技术，2025年开始逻辑半导体试产，2027年量产。并不会和台积电形成竞争，而是更愿意继续成为专注于服务器领域、汽车行业、通信网络，量子计算和智能城市方面的利基制造商。

根据他的描述，Rapidus专注的两大工艺分别是用于“高性能计算（HPC）”芯片和“Ultra Low Power（超低功耗）” 芯片。很明显，这也是台积电先进制程主要关注的领域之二，所以这种竞争关系是与生俱来的。此前，Rapidus会长东哲郎在接受采访时就谈到，在日本政府和国内设备制造商的支持下，新成立的Rapidus有能力迅速赶上台积电、三星电子等行业巨头。

当然，要实现这样的工艺就离不开ASML的光刻机，这也是日本和荷兰政府签署备忘录的主要目的。相关报道指出，Rapidus计划利用经产省提供的补贴，采购EUV光刻设备。我们都知道，用于先进制程的EUV光刻机产量非常有限，因此供应也非常紧俏，而如果Rapidus和ASML展开合作，有望强化供应链，甚至是获得更先进EUV的优先购买权。

此前有产业链人士表示，Rapidus成立仅9个月之后就已经完成了1台EUV光刻机的筹备，不过具体的型号及进度没有说明。小池淳义表示，通常大规模量产先进工艺需要至少1000名工程师，但他们引入了AI和自动化技术，现在有500名工程师了，用一半的资源就能完成。

他强调：“Rapidus是日本挽回空白10年的‘最后机会’。”

除了自己建厂布局先进制程，日本还大规模引进晶圆代工厂。我们此前有报道过，台积电将在日本熊本县建设22nm和28nm的半导体生产线，预计于2024年开始量产，用于车规和家电用芯片产品的生产。知情人士透露，台积电日本工厂的计划是长期的，将随着产业的发展进行升级，也就是说未来将会升级到12nm-16nm。

另外，日本还招揽了美光。美光公司此前表示，计划在日本政府的支持下，未来几年在极紫外线(EUV)光刻技术领域投资高达5,000亿日元(37亿美元)。知情人士透露，美光准备从日本政府获得约2000亿日元(14.8亿美元)的财政补贴，以帮助其在日本生产下一代DRAM存储芯片。

综合这些因素来看，正如上面所讲的，日本希望在中国台湾和韩国之外，在该国本土构建一个东亚芯片制造的新基地。为了实现这个目标，日本可以说是已经采取了举国之力的模式。