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ASML和IMEC合力推进high-NA EUV光刻技术试验线
2023-07-03 来源:华强商城
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关键词:ASMLIMEC


荷兰半导体设备制造商ASML和比利时纳米电子科技研究中心IMEC已宣布,将共同推进高数值孔径极紫外线(high-NA EUV)光刻技术试验线的研发,以应对未来半导体制造的挑战。


ASML是全球最大的半导体设备制造商,专注于提供先进的光刻设备和相关硬件、软件服务。而IMEC则是全球最大的独立纳米电子研究机构,负责开发下一代的半导体制程技术。


High-NA EUV光刻技术是ASML和IMEC所看重的下一代半导体制程关键技术。NA(Numerical Aperture)是光学系统接收光的能力的度量,NA值越高,系统对光的分辨率越高,也就意味着可以刻画出更小的特征尺寸。目前,EUV光刻已经在5纳米和3纳米节点上得到应用,但要在更小的节点上实现大规模商业化生产,就需要进一步提升NA值,也就需要high-NA EUV光刻技术的支持。


ASML和IMEC将在IMEC的总部设立high-NA EUV光刻试验线,进行相关的研发和测试工作。目前,双方已经开始进行设备安装和调试工作,预计2023年可以开始进行新设备的性能验证和新工艺的开发工作。


ASML和IMEC表示,通过共同推进high-NA EUV光刻技术的研发,可以更好地为全球半导体产业的进步做出贡献。随着5G、AI、自动驾驶等领域的快速发展,对半导体设备的需求越来越大,同时,对设备性能的要求也越来越高。因此,通过提升光刻技术的性能,可以帮助半导体制造商实现更高效、更精细、更低成本的生产。


然而,high-NA EUV光刻技术的研发并非易事,需要解决包括光源、光学系统、光刻胶、掩模等多个技术难题。在这个过程中,ASML和IMEC的合作将发挥关键作用。通过共享资源、技术和经验,双方可以共同面对挑战,加快技术的研发进程。


总的来说,ASML和IMEC的合作标志着半导体行业对于高级光刻技术研发的重视,也预示着未来高性能半导体设备的生产可能会有更大的突破。不仅如此,这也可能推动整个半导体产业链的升级,包括设备制造商、材料供应商、芯片设计商等多个环节。



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