整个存储行业的周期底部越来越明显，行业也是即将走出拐点，迎来产能和业绩的双重丰收。

群联CEO潘健成表示，NAND闪存芯片市场目前的库存水平仍然很高，价格已经跌破了制造商底线，影响了盈利能力，因此上游NAND原厂有强烈的意愿从7月开始涨价。

潘健成表示，目前部分NAND主控芯片需求迫切，部分型号甚至出现了供不应求的状况，这反映了市场正在逐步回暖，对NAND固态硬盘模块的需求也在慢慢增加。

近期部分NAND主控芯片供应短缺，主要是一些工业用产品或高端应用，如UFS、PCIe产品，这正是市场反弹的信号。

TrendForce近日在报告中表示，DRAM现货市场中，近期低价DDR4产品出现零星涨价；由于芯片供应充足，DDR5产品价格不断走低。之后该机构另一份报告指出，DRAM市场中买家与供应商已开始讨论第三季度合同，初步报价显示，DDR5与LPDDR5X产品价格进一步下跌的空间已经不大。


行业巨头怎么看？

DRAM大厂南亚科7月10日召开第二季度财报法说会。会上，公司总经理李培瑛表示，本季DRAM整体平均价格依旧微幅下跌，但已看到部分产品报价呈现平稳或小幅增长，如高阶AI内存及部分消费性应用品项都开始涨价，这是正向信号，代表市场状况逐步筑底、走向供需平稳。

南亚科为全球第四大DRAM厂商，前三大分别为三星电子、SK海力士、美光科技。业绩方面，南亚科第二季度实现营收70.27亿元新台币，环比增长9.4%；6月营收为24.58亿元新台币，环比增长6.45%，营收已连续4个月增长，并创今年新高。

美光、SK海力士对于存储行业后续的市场情况也同样保持乐观的态度。美光科技近期表示，存储行业已经度过了当前低迷的低点；SK海力士高管也预计，在中国需求复苏和人工智能的大力推动下，该行业的低迷现象今年晚些时候会有所缓解。高盛分析师在研报中指出，三星芯片业务的亏损将逐步缩小，然后在第四季度实现小幅盈利。

纵观近几个月来DRAM价格走势，据日经报道统计，此前截至2023年4月，DRAM价格连续12个月下滑，作为价格指标的“DDR4 8GB”产品的6月的大宗交易价格比1年前下跌45%。

但DRAM芯片价格跌势有望收敛/止跌。市场研究机构TrendForce在近日报告中指出，受惠于DRAM供应商陆续启动减产，整体DRAM芯片供给逐季减少；加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力，因此预计2023第三季度DRAM均价跌幅将收敛至0-5%。与此同时，群联CEO近期也透露，NAND Flash原厂涨价意愿也非常强烈，希望能从7月开始涨价。

对于近期的存储市场情况，NH Investment & Securities的分析师Doh Hyun-woo做出研判称，预计自第三季起，存储芯片市场有望快速回温，DRAM和NAND Flash均价将分别上涨7%、5%，摆脱连季下跌的颓势。

从需求端来看，据李培瑛透露，下半年手机新机上市，平均DRAM搭载量增加；PC端库存逐步修正至正常水准，下半年出货有望优于上半年。另外，电视、网通等消费电子终端产品需求相对健康，下半年会逐渐回温。


AI带来的存储新增量

在ChatGPT快速发展的浪潮之下，算力缺口逐渐扩大，而运算规模的增长，带动了对AI训练芯片单点算力提升的需求，也对数据传输速度提出了更高的要求。

但现实的情况却是算力的发展速度远超存储的发展速度，在过去二十年中，处理器性能以每年大约55%的速度提升，内存性能的提升速度每年只有10%左右。因此，目前的存储速度严重滞后于处理器的计算速度。

而在能耗方面，从处理单元外的存储器提取所需的时间往往是运算时间的成百上千倍，因此能效非常低。“存储墙”成为加速学习时代下的一大挑战，原因是数据在计算单元和存储单元的频繁移动。

在传统计算机架构中，存储与计算分离，存储单元服务于计算单元，因此会考虑两者优先级。

如今由于海量数据和AI加速时代来临，不得不考虑以最佳的配合方式为数据采集、传输、处理服务，然而存储墙、带宽墙和功耗墙成为首要挑战，虽然多核并行加速技术也能提升算力，但在后摩尔时代，存储带宽制约了计算系统的有效带宽，芯片算力增长步履维艰。

而此时，存算一体技术出现了，存算一体是在存储器中嵌入计算能力，直接利用存储器进行数据处理或计算，从而把数据存储与计算融合在同一个芯片的同一片区之中，便可以彻底消除冯诺依曼计算架构瓶颈，特别适用于深度学习神经网络这种大数据量大规模并行的应用场景。

可以说，未来的算力会与存力相捆绑，AI服务器出货量的增加，也都将成为存储发展的增量空间。


国产存储初露锋芒

过去，在三大巨头的牢牢把控下，我国在该领域中根本没有任何议价权，内存也成为“理财产品”的常客，价格经常一涨再涨。此外，三星工厂不时的“起火”、“停电”，都表现出一副不愁产品销路的嘴脸。

但近年来，在长存、长鑫等企业的努力之下，国产存储也实现了从无到有的突破，打破了日韩厂商长期垄断市场的局面，同时，产业链上也出现了许多优秀的公司，并在行业周期底部之时，被众多投资者关注了起来。

当前，兆易创新，主要立足NOR多产品线外拓布局，可能将迎来平台化高速增长期。

公司作为NOR Flash龙头，正在积极拓展DRAM 市场。据公司公告称，已于2021年6月成功量产自有品牌19nm DRAM，未来将朝17nm演进。而在今年3月的公告中，兆易创新也表示，是有着与合肥长鑫存储发生采购DRAM产品及代工业务的，并且2022年与长鑫的实际采购额达8.74亿元（其中自研2.61亿元，代销6.13亿元）较2021年的2亿元金额实现了大幅增长。

根据券商预测，2023上半年与长鑫关联交易金额将继续增加至5.55亿元，而未来有望借助NOR销售渠道复用与客户资源快速放量，带动市占率增加。

长江存储，则是目前大陆唯一的3D NAND闪存一体化厂商，被很多业内人士认为是存储界的“京东方”。

长江存储作为国内唯一一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业。经过六年多创业历程，通过创新3D NAND新一代技术架构，实现了对全球顶级存储厂商的超越，也真正打破了日韩三巨头对中国的存储封锁线。

在长江存储正式成立后，公司将主要精力投入到与中科院微电子所的合作上来，分别在2017年、2018年、2020年成功研发出32层、64层、128层的3D NAND产品，并在2018年8月首次推出自研Xtacking技术架构，实现了闪存技术架构的突破性创新。

而到了2021年之后，长江存储128层堆叠的TLC产品全面量产，并发布了搭载128层TLC颗粒的自有品牌致态最新系列TIPro7000，正式代表着长江存储128层TLC工艺良品率迈入量产等级。

此外，更是在2022年年底的闪存峰会上，正式发布了基于Xtacking 3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070，成功突破200层数，达到了232层，这也标志着长江存储在短短六年的时间中，便达到了世界领先水准，更是得到了苹果的认证。

在技术突围之外，长江存储的存在更加重要的意义则是，中国不再被日韩存储巨头“卡脖子”，而这也是全产业链的国产化的过程中迈出的重要一步。

展望未来，在产业链国产化的过程中必将遇到很多问题，也需要国家、企业投入更多的成本，但也只有前期投入，才能打出更多在国际市场上具有竞争力的产品，让更多更好的技术与产品服务广大的消费者。