此前，由于制造商及内存供应商库存的增加和需求恶化，存储市场陷入了严重衰退期。虽然存储价格还在下跌，但情势或将有所好转。TrendForce集邦咨询认为，预计第三季整体NAND Flash均价持续下跌约3%~8%，第四季有望止跌回升，第三季DRAM均价跌幅将会收敛至0~5%。

结合几大原厂最新财报数据及市场动态显示，库存调整有所成效，市场出现了一些回温的迹象。

三星、美光财报带来回温迹象？

近期，三星电子公布2023年第二季度财报的初步数据，期内销售额为60万亿韩元，同比下降22.3%；营业利润从上一年的14.1万亿韩元降至6000亿韩元，同比下降95.7%。行业人士认为，虽然三星电子财报仍在持续下跌，但其利润降幅小于行业人士预期。

美光科技财报显示，三季度营收为37.5亿美元，高于市场预期的36.9亿美元，去年同期为86.4亿美元，同比下降57%；利润率下滑16.1%，利润下滑幅度低于市场预测。

结合上述两家大厂财报数据后，业界认为，存储芯片价格在持续下跌一年多以后，库存过剩现象有所缓解，市场出现了一些复苏的迹象。美光方面表示，存储芯片行业已度过低谷。


库存压力仍在

虽然供需在走向平稳，但存储厂商的库存压力仍在。

半导体分析师王志伟对记者表示，虽然市场偶有涨价的消息传出，但是否能因此带动市况反转，则仍须看整体需求和市场接受度。

据TrendForce集邦咨询研究显示，受惠于DRAM供应商陆续启动减产，整体DRAM供给逐季减少，加上季节性需求支撑，减轻供应商库存压力，预期第三季DRAM均价跌幅将会收敛至0~5%。不过，目前供应商全年库存应仍处高位，今年DRAM均价欲落底翻扬的压力仍大，尽管供给端的减产有助季跌幅的收敛，然而实际止跌反弹的时间恐需等到2024年。

而在对2023年DRAM市场的展望中，Yole方面认为，“宏观经济的不确定性使得近期需求预测非常不稳定”，但供应商的积极应对将带来“历史最低的产能增加”，市场将在2023年下半年恢复平衡。报告称，供应商的库存可能还需要几个季度才能恢复正常。

王志伟认为，从中长期来看，随着人工智能时代的到来，全球算力正在以指数级增长，而这将直接拉动对存储的需求。

Yole预测，未来五年，数据中心对DRAM的需求将增长30%以上，同期整体DRAM需求将以每年20%以上的速度增长。Yole表示：“AI（人工智能）、IoT（物联网）和5G（第五代移动通信）相互交织，将为算力需求乃至DRAM需求提供强劲的顺风。”

NAND市场方面同样不明朗。TrendForce集邦咨询表示，原厂减产幅度持续扩大，实际需求未明，第三季NAND Flash市场仍处于供给过剩。即便下半年有季节性旺季需求支撑，但目前买方仍持保守的备货态度，压抑NAND Flash价格止跌回稳。第三季NAND Flash Wafer均价预估将率先上涨；SSD、eMMC、UFS等模组产品，则因下游客户拉货迟缓，价格续跌，预计第三季整体NAND Flash均价持续下跌约3%~8%，第四季有望止跌回升。


HBM争霸战开打

随着ChatGPT（一种以类人方式回答问题的生成式人工智能聊天机器人）的兴起，这又是韩国公司现在正在启动另一项竞争场技术战，将对高容量、高性能半导体（称为高带宽内存（HBM））的需求不断增长。消息表示，第二大内存厂商SK海力士将在首尔举行闭门投资者关系会议，向包括国家管理局补贴的机构投资者和分析师介绍该芯片制造商的HBM能力。

SK表示，与早期产品相比，24GB封装产品的内存容量增加了50%。现有HBM3产品最大内存容量为16GB，采用 8层配置。该公司最新的12层、24GB HBM3拥有多达约819GB的数据处理速度，能够在秒内传输163部全高清电影。

与此同时，三星计划在年底前开始大规模生产 HBM3 芯片。

该公司高管表示，将斥资数千亿韩元，到 2024 年底将天安工厂的 HBM3 芯片制造能力提高一倍。有消息人士称，三星将向无晶圆厂芯片设计公司AMD等客户供应其产品。

据当地券商KB证券称，到2024年，HBM3将占据其芯片销售收入的18%，较今年预计的6%大幅提升。

三星芯片负责业务的设备解决方案部门总裁兼负责人 Kyung Kye-hyun 在本月早些时候的公司会议上表示，三星将努力控制一半以上的 HBM 市场。“我们收到了客户对我们的 HBM3 产品的积极回应，

三星董事长李在镕（Jay Y. Lee）在 5 月份的美国之行期间会见了 Nvidia 创始人黄仁勋（Jensen Huang）， 讨论了扩大业务合作伙伴关系的方法，特别是在 GPU和AP方面。

三星和SK海力士都希望他们的半导体业务能够通过HBM等大容量芯片容量的增加实现盈利。HBM芯片垂直互连多个DRAM芯片，与传统DRAM产品相比，可大幅提高数据处理速度，其价格至少是 DRAM 的五倍。

分析师预计，三星芯片部门和 SK 海力士将在本周晚些时候公布业绩时，点亮运营杠杆将分别达到创纪录的 8.5 万亿韩元（合65亿美元）和6.3万亿韩元。


国产实力相差悬殊

HBM需求爆发，三星、SK海力士、美光三大存储芯片巨头正在将更多产能转移至生产HBM，但由于调整产能需要时间，很难迅速增加HBM产量，预计未来两年HBM仍将供应紧张。

不过，在HBM领域，国内厂商布局不大，只有一些厂商涉及封测。比如，国芯科技正在研究规划合封多HBM内存的2.5D的芯片封装技术，积极推进Chiplet技术的研发和应用；通富微电在建先进的2.5D/3D先进封装研发及量产基地，将实现国内在HBM高性能封装技术突破；华海诚科生产的颗粒状环氧塑封料(GMC)可以用于HBM的封装，相关产品已通过客户验证，现处于送样阶段。

总的来说，国内HBM内存芯片与国际巨头的差距还是非常大。