众所周知，目前的芯片制造技术，均是以光刻技术为基础的。

所有的晶圆厂制造芯片时，均是先将电路图，刻在光掩膜板上，然后再利用光刻机的光线去照射，最后把这些电路图投影涂了光刻胶的硅晶圆上，形成电路图。

光刻机是其中必不可少设备，且是单价最贵的设备，同时光刻工序耗时最长。

更重要的是，光刻机全球就只有4家，分别是ASML、尼康、佳能、上海微电子。而其中浸润式光刻机，只有尼康、ASML能制造，而EUV光刻机只有ASML能制造。

所以说ASML卡住了全球芯片厂商的脖子，所以大家也都在想另外的路线，如何绕开光刻机，采用其它方法来制造芯片，改变这种格局。

经过科学家们的研究，目前提出了很多方法，比如DSA自生长技术，还有BLE电子束光刻技术，还有X射线光刻技术，还有NIL纳米压印技术。

其中NIL纳米压印技术，被认为是最有潜力，最能够替代光刻的一种芯片制造技术。

光刻技术采用的是光线投影，而NIL纳米压印技术，类似于盖章一样，先把电路图刻在一个特殊的“印章”上，然后再将这个印章直接印到晶圆上，就形成了电路图。

相比于光刻技术，这种技术成本更低、工序简单，更容易批量操作的特点，所以被众多厂商青睐，也被大家研究。

其中日本的佳能研究最深，申请的专利最多，还推出了相关的纳米压印技术，目前也用于存储芯片的制造。

纳米压印的难点是如何制造最高精度的“印章”，毕竟现在的芯片都是纳米级的，要刻一个这样的“印章”出来比较难，佳能的目标是在2025年实现5nm芯片的制造。

而国内也有在纳米压印技术上，表现出色的企业，它就是华为哈勃投资青睐的天仁微纳。

它成立于2015年，是一家微纳加工设备和解决方案提供商，公司专注于纳米加工领域，尤其是纳米压印技术。

目前天仁微纳已经研发出了多款高精度紫外纳米压印设备。据官网资料显示，他们的纳米压印设备，已经可以在150／300mm基底面积上实现高精度（优于10nm ），也说是说实际精度已经达到了10nm级别。

而目前这些设备，也用于DOE、AR／VR衍射光波导（包括斜齿光栅）、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED、微透镜阵列等应用领域的量产。

虽然说，目前这种设备，并没有用于大家最为熟悉的逻辑芯片、存储芯片等，但相信也不太远了。

既然佳能能够在2025年实现5nm工艺，想必天仁微纳也不会太落后，你觉得呢？

而一旦国产厂商，能够不用光刻机，就实现10nm、甚至7nm、5nm的芯片制造，那么美国的芯片禁令就不攻自破了，再也限制不住了我们了。

所以让我们拭目以待一下，看看国产纳米压印技术，会不会比国产光刻机技术，更早突破14nm、10nm等，这可是改变全球芯片格局的大事。