记忆体三大厂启动减产效应陆续显现，根据估计，DRAM与NAND Flash供过于求的情况从第3季将明显改善，最快从第4季起供过于求比例（sufficiency ratio）将由正转负，随著上游减产趋势有志一同，价格进入底部趋势将更为明确，不过关键仍在于终端需求的复甦速度。

受到PC OEM厂的库存调整结束，第2季底陆续回补DRAM库存，提前确保下半年的传统旺季拉货需求，业界指出，由于OEM厂的急单需求已获得满足，下半年终端市场存有不确定性的变数，导致7月标准型DRAM合约价的敲定推迟，DDR4 8Gb 1Gx8以及DDR4 8GB模组的价格均微幅小跌，跌幅约1.5%左右。

随著DDR5超频效能逐渐提升，AI运算带动新品规格升级及云端应用採用率提高，DDR5现货价率先调整后，合约价于第3季也酝酿走扬，由于记忆体模组厂及OEM厂的库存较低，7月DDR5 16GB模组价格逆势调涨3~4%，预料上游DRAM供给增量有限，第3季DDR5价格将可望延续上涨趋势。

儘管AI伺服器的高阶需求窜起，压抑一般伺服器需求回温力道，云端大厂拉货速度放缓，导致OEM库存持续调整。例如32GB伺服器DRAM模组的价格仍下跌约3%；此外，2023年上半消费电子产品销售疲弱，市场保守态度延续至下半年， DDR3库存调整压力较大，DDR3 2Gb合约价也呈现约3%下滑。

至于上游原厂主导的应用领域，嵌入式产品价格逐渐回稳，包括高阶UFS 4.0、LPDDR5产品看涨，其他如eMMC、LPDDR4报价也稳住阵脚。虽然市场普遍对手机需求保守看待，下半年难期待意外惊喜，不过手机品牌已稳定控制低库存水位，带动嵌入式应用价格调涨有望获得客户接受。

记忆体模组厂宇瞻指出，DRAM及NAND在2023年将处于库存调整年，预计上游供应商的减产效应带动下，终端库存逐步减少将能带来加乘效果，接下来的记忆体跌价空间愈来愈小，甚至将近乎于零。

据inSpectrum估计，主流DDR4在2023年上半供给过剩情况严重，供过于求比例在1~2月均超过11~12%，但第2季起逐月降低，7~9月将降至0.2~0.3%，并从第4季供给将低于需求，将可望随著2024年需求回温，拉大与供给缺口的差距。

而NAND也呈现相当走势，供过于求最严重的时间落于2月，比率约达16%，从第2季起收敛至6~8%，尤其6月进入7月的供过于求比率下降很多，主受到库存调整与产业减产的双重作用发酵，到了7月接近至0.6%，预计第4季起将有望转为负值。

从整体趋势而言，DRAM与NAND减产方向不变，且7月底韩系大厂再度扩大减产，将可望加速减产效应发生，各家下游模组厂及终端客户的库存也较低，但宇瞻总经理张家騉认为，目前市调机构预估结果的最大变数与风险，将在于终端需求复甦的速度能否如符合预期。

近期AI伺服器带动HBM需求暴增，对于记忆体大厂来说，将能透过制程转换消化DRAM位元，或随著AI伺服器带动SSD需求提升，儘管记忆体价格止跌成为事实，但观察重点在于库存消化有多快，要让客户愿意下单才是实质复甦。

虽然下半年的订单可见度并不高，但张家騉表示，将透过应用领域广泛、客户类别众多，维持营运表现稳定，第3季需求虽然无法过于乐观，对于第4季仍有期待。

客户的订单预估虽较为保守，但订单可见度不高未必等于不好，市场急单需求陆续发生显现，看好基础建设、网通5G、EV充电桩等相关领域将维持成长。