在半导体行业普遍低迷的情况下，三星电子今年第一季度在全球存储半导体市场保持了领先地位，而SK海力士的市场地位则出现下滑。市场研究公司Omdia近日发布的数据显示，三星电子第一季度在全球DRAM市场保持领先地位，市场份额为42.8%，与上一季度持平。

具体到数据方面，三星电子第一季度DRAM销售额同比下降61.2%至40.13亿美元，环比萎缩25.2%。业绩下滑主要归因于半导体市场持续衰退趋势，全行业减产导致销售额下降和收入下降。相比之下，SK海力士第一季度DRAM市场份额下降了2.3%，从上一季度的27.0%降至24.7%。此外，SK海力士的行业排名从第二位下滑至第三位，被美国半导体制造商美光科技取代，后者以27.2%的市场份额稳居第二位。

NAND内存市场方面，三星电子同样保持领先地位。尽管第一季度NAND闪存销售额比去年同期下降了一半，达到29.9亿美元，但三星电子的市场份额仍实现了0.4%的增长，达到34.3%。值得注意的是，NAND内存市场的其他主要参与者包含了日本铠侠（KIOXIA）（19.5%）、美国西部数据（Western Digital）（15.9%）和SK海力士（包括其子公司Solidigm）（15.1%）。SK海力士的NAND市场份额较上一季度的16.8%下降了1.7%，导致其行业排名从第三位滑落至第四位。

CNMO获悉，在第二季度财报电话会议上，三星电子和SK海力士均透露了进一步减产的计划，重点关注以NAND为中心的业务。


西数凯侠将合并，超越三星

多年以来，NAND芯片市场的霸主位置一直被三星所把持着，尽管海力士、美光、凯侠（原东芝存储部门）也有不错的表现，但和三星相比，还是有一定距离。不过现在市场格局似乎即将发生重大的变化。在经过较长时间谈判后，西数和凯侠即将达成合并协议，届时西数将超越三星成为闪存芯片新的龙头。

西数和凯侠的协议并不是简单将两家公司合并，而是分拆西数的NAND Flash存储部门，然后将这个部门与铠侠合并。之后西部数据的股东将控制合并后新公司略超过一半的股权，以达到控制公司的目的。目前相关的信息还处于保密状态，只能等两家公司合并后才能知道更多的细节，不过可以肯定的是，这次合并和过去的想的并非完全一样，或者说并不是西数收购凯侠这么简单。

据悉两家公司在谈判时，有建议是将由铠侠的团队来主导合并后新公司的经营，不过西数的高管也将发挥相对的重要辅助作用。而就目前情况来看，尽管双方谈判进展顺利，但距离最终协议敲定可能还需要一段时间。而且，期间可能会改变主意，甚至最终未能达成任何协议而告终。不过由于谈判已经进行了很久，而且现在双方都有合并的意愿，所以谈判告吹的可能性会比较小。

从我们了解的情况来看，合并后的新公司将采用双重董事会制度，两家闪存芯片制造商的高层都将是成员。新公司总部将设在日本，并预计分别在美国那斯达克以及东京上市。同时，铠侠的主要投资者贝恩资本还将获得特别股。先前有消息表示，铠侠将对合并后的公司出资43%、西数出资37%，余下20%股权将由东芝等现有股东持有，不过目前这个股份份额还没有得到确认，也可能会是西数出资更多。

截至2023年第一季为止，铠侠在NAND Flash市场占21.5%的市占率，而西数则是15.2%的市占率。另一方面，三星同期市占率上为34%。因此，铠侠和西数的NAND Flash部门合并后，其市占率将成为全球最大，拥有超过36.7%的市占率。这样三星将会下滑到全球第二，这对三星来说还是有不小的压力。

不过现在闪存芯片市场并不好过，SSD价格一直下滑，智能手机销量也很惨淡，所以这导致闪存整个行业的业绩低迷。凯侠和西数都铠侠借由这次合并来提高营运效率，而且如果能保持现在的市场份额，未来也能在NAND市场上获得更多的话语权以及合作伙伴。另外如果能对三星一些阻力，对于市场来说，可能利大于弊。


行业吹响复苏号角

HBM是当下数据处理速度最快的DRAM产品，是基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片，将多个DDR芯片堆叠后与GPU封装在一起，能够实现更高带宽、更高位宽、更低功耗、更小尺寸。最新财报显示，存储芯片DRAM三大龙头SK海力士、三星和美光业绩端开始反弹。三星电子23Q2由于智能手机出货量下降而营收下降，但存储业务较上一季度有所改善，官方称主要是由于公司专注于HBM和DDR5产品；SK海力士在截至6月30日的一个季度中，其销售额为7.31万亿韩元（约57亿美元），同比下降47%，但超出分析师预计的6.05万亿韩元。虽然目前HBM在SK海力士的营收占比不及1%，但今年这一比例便有望上升至10%；美光23Q2业绩结束连续三季度的下降迎来反弹，此外，中国台湾地区原厂月度业绩亦连续环比改善。

天风证券潘暕7月17日发布的研报指出，近期存储芯片利好频传拐点或已现，复苏号角似乎已在耳畔。从历史周期维度看，存储行业周期约为3-4年，本周期自2020Q1起始，于2022Q1价格阶段性见顶，目前已连续6个季度降价，处于周期筑底阶段。

价格方面，今年Q2起，多家供应商发出触底信号。先是三星和美光向经销商发出通知，不再低价接单DRAM及NANDFlash，拒绝接受低于4月的报价。5月份，有消息称长江存储原厂闪存正式开始涨价3-5%幅度后，三星电子、SK海力士等正在考虑提高报价。6月下旬，供货商中仅三星愿意进行cSSD（消费级固态硬盘）提前交易，经销商希望供货商让步但都遭拒绝。

潘暕指出，供给需求端，6月美光公布预计减产到2024年，早前2022Q4各原厂大幅削减资本开支，如果按正常生产周期3-4个月来看，供给有明显收缩减产效果将在Q2、Q3加速显现。南亚科表示公司在部分应用领域已出现急单。华邦近期消费电子、电视、物联网等三大应用客户需求回温，工控相关接单也持续发烫，客户急单涌入，而且“量也不少”。

此外，空间端，短期来看23Q2起存储芯片规模或将逐季增长，长期来看AI催化下存储需求有望数倍提升。地缘政治端，海外大厂逐步退出利基市场，美光事件加速本土替代。

超导技术或颠覆存储革命

室温超导材料获得突破，这将彻底改变材料科学领域的格局。近日，中国科学家取得了室温超导材料研究的重要突破，成功合成了一种能在室温下表现出超导性的材料。这项突破性研究让人们对未来超导材料应用的可能性充满了期待。

超导材料的特殊性质使得电流能够在其内部同步流动，几乎没有能量损耗。然而，过去的研究都是围绕在极低温条件下才能实现的超导材料展开的。而室温超导材料的发现，可谓是科学界的一大突破。它意味着我们不再需要耗费大量的能源来维持低温环境，就能够实现超导效应。这一突破将极大地推动超导技术在能源传输和储存领域的应用。

此外，国产量子芯片技术也在商用化进程中取得了加速。量子芯片作为新一代计算技术的代表，其超强计算能力可望在人工智能、密码学和材料科学等领域发挥巨大的潜力。当前，全球量子芯片研究正处于白热化的竞争中，而中国在该领域的发展势头迅猛。

随着国产量子芯片技术的商用化，中国在芯片领域的竞争优势不断增强。中国的芯片产业链不断完善，从材料研发到设计制造、封装测试再到应用拓展，已经形成了具有自主研发和生产能力的完整产业链。不仅如此，中国的芯片技术已经具备了特定场景下的应用能力，有望获得更多市场份额。

面对室温超导材料获得突破和国产量子芯片技术的商用化加速，人们不禁想到了“中国芯”的崛起。中国科技实力的提升和创新能力的增强，使得中国在全球科技领域的地位不断攀升。中国的科学家们正在为人类社会的进步做出重要贡献，他们的努力和成果将不再被忽视。

可以预见，随着室温超导材料和量子芯片技术的商用化，中国在材料科学和半导体领域的影响力将进一步扩大。中国将成为全球芯片技术的领头羊之一，不仅在国内市场有着巨大的发展空间，也在国际市场上有着不可忽视的影响力。