近日，众多媒体报道称，华为又有了一项新的专利，专利号是CN116504752A，专利名称为“芯片堆叠结构及其形成方法、芯片封装结构、电子设备”。

再加上前一段时间，网上有传闻，华为麒麟芯片或回归，于是很多人将这两个消息结合在一起，表示华为接下来，或采用国产14nm工艺，采用堆叠技术，将2颗14nm的芯片，堆叠在一起，实现等于甚至强于7nm芯片的性能。

这种猜测，让网友们兴奋不已，觉得一旦通过这种技术拥有7nm芯片的性能，那美国的打压就彻底失效了，华为5G麒麟芯片会王者归来，华为手机也会王者归来。

当然，在我看来，这只是猜测，并且很明显这种猜测没什么根据，因为要用2颗14nm芯片堆叠，实现7nm芯片的性能，实在太难了，不信我给大家分析一下就懂了。

芯片的性能，最终还是取决于晶体管的数量，因为一个晶体管代表的就是开关，开关越多，性能就越强。

芯片不断的提升工艺，其实就是提升晶体管密度，在同样大小的芯片里面，放置更多的晶体管，所以性能也提升了。

先说说中芯的14nm工艺，晶体管密度约为30MTr/mm，即每平方毫米达到3000万个。而台积电的7nm工艺，晶体管密度约为97MTr/mm，即每平方毫米达到9700万个，密度是14nm的3倍多。

怎么理解呢？即如果14nm工艺，需要达到7nm工艺的性能，即两块芯片中的晶体管一样，在14nm工艺下，需要3倍面积于7nm工艺才行。

也就是说需要3颗14nm芯片，堆叠在一起，才能够实现1颗7nm芯片的性能（晶体管数量一样多）。

3颗14nm的芯片堆叠在一起，如果平摊，则是3倍于7nm芯片的面积，如果上下堆叠，则是3倍于7nm芯片的高度，这样面积或体积的加大，一般的手机可不一定装的下。

另外3颗14nm芯片的功耗，可能是1颗7nm芯片功耗的好几倍，按照专业人士的说法，14nm芯片本身功耗可能就是7nm芯片的2倍以上，而3颗再堆叠到一起，功耗就是6倍了。

这个发热，功耗，真的能够抗得住么？特别是手机芯片，手机对性能、功耗、发热要求可太高了。

事实上，芯片堆叠技术方案难题不仅要考虑性能、功耗等，还要考虑发热、电气互联、封装和测试、制造技术等等，并不是理论想象的这么简单。

所以，大家对于这种2颗14nm芯片堆叠，实现7nm芯片性能的事情，随便看看就好，不必太认真了。