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又一家手机厂商自研芯片失败,今年应届生或被全部优化!
2023-08-11 来源:
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8月9日消息,据相关媒体报道,吉利旗下星纪魅族将调整芯片业务或放弃自研芯片,今年应届生或被全部优化。


此前,有不少疑似星际魅族的员工爆料,公司疑把今年入职的应届生全部优化。因芯片投资周期长,成本高,AR芯片现在没有出产品,影响上市计划,星纪魅族计划调整芯片业务。该部门大约有200名员工,今年入职的应届生有40余人。调整计划是裁撤所有应届生,留一小部分老员工,赔偿方案正在商定中。


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针对芯片业务调整一事,星纪魅族方面回应称,面对全球经济环境的不确定性,星纪魅族集团决定终止自研芯片业务,更加聚焦产品创新和软件用户体验。由于相关业务调整,涉及到部分人员调整优化,公司正在积极协调,沟通解决方案,依法合规妥善解决问题,针对受影响的应届毕业生,公司也在通过内部推荐等方法最大限度分流。


据星纪魅族官网显示,芯片研究院所属的前瞻技术体系,被列为星纪魅族七大业务之一,涵盖芯片技术、核心算法、操作系统等。在此前举办集团战略沟通会上,星纪魅族董事长兼CEO沈子瑜曾表示,前瞻技术连同手机/车机、XR技术,是未来星纪魅族的三大核心战略。


三大手机厂商自研芯片全部失败


继OPPO哲库宣告解散后,星纪魅族成为第三家自研芯片失败的手机厂商。


纵观国内手机厂商中,为了进一步打出差异化的卖点,与友商拉开明显的差距。“华米OV”都曾怀着势不可挡的勇气加入自研芯片战局。不过,能笑到最后的只有少数几家,或因为自研芯片难度太大,没有产出,投资方不愿再注资,计划破产;或因为芯片产出了,却因受到无端制裁,而陷入沉寂。


2004年,华为海思成立,通过长达9年的埋头研发,其麒麟系列第一款麒麟910芯片在2013年正式面世。这一年刚好是智能手机爆发增长时期,在芯片设计方面,国内手机厂商还依赖着国外技术,彼时华为海思通过麒麟芯片率先占领国内手机厂商自研芯片市场高地。


在麒麟芯片问世一年后,小米加入。2014年,小米在北京成立全资子公司松果电子,暗自发力芯片研发。三年的夙兴夜寐,终于在2017年2月春,小米成功发布首款自研手机芯片澎湃S1,并成为继苹果、三星和华为之后的全球第四家同时具备手机及芯片设计研发的企业。然而,后续小米的自研芯片之路并不顺利,其万众瞩目的澎湃S2五次流片均告失败,自研SoC计划也暂时画上了句号。


2021年VIVO执行副总裁兼首席运营官胡柏山首次对外披露VIVO的芯片战略,宣布VIVO将主要围绕设计、影像、系统和性能四个长赛道展开。同年9月,VIVO不负众望推出首款自主研发专业影像芯片“VIVO V1”。


2019年,oppo率领旗下公司哲库组建芯片团队,哲库总裁陈明永立下“十年之约”,志在NPU芯片领域干出一番大事业。可惜的是,OPPO哲库在NPU芯片上留下重要性成果之后,在2023年撤销了研发团队,退出自研芯片舞台。


一直以来,半导体行业都没有漫不经心的成功,全是是蓄谋已久的出击,驾轻就熟的背后是有备而来。华为自研SoC成功是通过长达9年的埋头研发,10年研发支出超9700亿的大手笔投资。


自研芯片从来不是一条容易走的路,失败和中断总是穿插其中,成功少有,遗憾才是常态。华为被制裁,OPPO解散团队,小米不及预期,星纪魅族芯片业务调整,这些事实告诉我们,有时候,努力并不一定会有成果。


但是,不努力,一定不会有成果。虽然手机SoC这条路我们走得相当困难,但我们在其他道路已经有所突破。


MCU领域中,近几年在国产替代的大风口之下,国内MCU厂商如雨后春笋般出现,据不完全统计,已经有近百余家,他们往往从小家电和工业控制为切入口,出于供应链安全考虑,国内部分客户对使用国产 MCU 的意愿不断增强,这几年逐渐实现了一定的国产替代。


如国产MCU厂商——先楫半导体,其主打产品HPM6000系列芯片立足于国产RISC-V MCU领域,在高速和高可靠性上与主流国际原厂媲美,实现了创新型替代。与国际品牌T公司C2000相比,先楫HPM6200系列CPU性能实现了超越。HPM6200主频600MHz,而C2000在200MHz以内;再和国际品牌S公司的G4系列对比,HPM6200系列在CPU性能、16位ADC、PLA等性能和功能上实现超越。



先楫半导体主要产品介绍:


HPM6700/6400系列芯片

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HPM6700/6400 系列产品是先楫半导体推出的高性能高实时 RISC-V MCU 旗舰产品,目前已经量产。与国际竞品相比,HPM6700系列芯片单核运行主频即可达到惊人的816MHz,在CoreMark跑分测试中,HPM6700获得了9220的高分,成功刷新了国际MCU领域的性能记录。



在具体性能方面,HPM6700/6400系列芯片采用RISC-V 内核,支持双精度浮点运算及强大的 DSP 扩展,主频频率创下了MCU 性能新纪录,是目前市场上高性能MCU的理想之选。此外,该系列芯片还配置了高效 L1 缓存和本地存储器,加上 2MB 内置通用SRAM,极大避免了低速外部存储器引发的性能损失。


HPM6700/6400系列芯片还拥有强大的多媒体支持能力和丰富外设接口,其适配的LCD显示控制器可支持高达1366x768 60fps的八图层RGB显示支持,支持图形加速功能,可支持双千兆以太网,IEEE1588,双目摄像头。并具有4个独立的pwm模块,每个模块可生成8通道互补PWM,及16通道普通PWM、3 个 12 位高速 ADC 5MSPS、1 个 16 位高精度 ADC 2MSPS、4 个模拟比较器等多个接口。


HPM6300系列

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先楫半导体推出的HPM6300全系列产品采用晶心Andes D45 RISC-V内核,支持双精度浮点运算。模拟模块包括16bit-ADC,12-bit DAC和模拟比较器,配以多组纳秒级高分辨率PWM,为马达控制和数字电源应用提供强大硬件支持;通讯接口包括了实时以太网,支持IEEE1588,内置PHY的高速USB,多路CAN-FD及丰富的UART,SPI,I2C等接口。



HPM6300的主频达到648MHz, 并具有FFA协处理器,能实现FFT/FIR快速计算,具备3个16位的ADC、10/100M以太网等,适合工业自动化、电网等行业应用,如工业自动化领域的伺服驱动器、PLC、工业控制器,电网的DTU、断路器等产品。


不仅在性能方面表现优异,HPM6300同时也是一款高性价比的产品,其高实时性、互联性、16位ADC的特性,一经推出就获得了自动化、电网、新能源客户的认可。目前已在行业头部客户中导入产品设计,在FFT、AI推理性能上超越了传统的DSP。

在工业领域,电机驱动是整个自动化的基础应用,如用于CNC机床、机器人的伺服驱动器,用于新能源汽车的主驱、压缩机驱动等。由于这些行业本身的发展和需求增加,对MCU提出了更高的要求,如高算力、高实时性、16位ADC、单芯片多轴控制等。

HPM6200系列

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HPM6200是先楫半导体推出的高性能、高实时、高精度混合信号的通用微控制器系列,为精准控制而生,主要应用领域包括新能源,储能,电动汽车,工业自动化等。


性能方面,HPM6200系列芯片主频达到600MHz, 是RISC-V 单双核处理器,带有FPU和DSP,内置4 组8通道增强型 PWM 控制器(8ch/组),提升了系统控制精度,可实现单芯片控制多轴电机或者单芯片实现复杂拓扑的数字电源。同时配备了可编程逻辑阵列 PLA, 3 个 2MSPS 16 位高精度 ADC, 16个模拟输入通道以及4 个模拟比较器和 2 个 1MSPS 12 位 DAC。



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