按照命名法，目前只有EUV光刻机、DUV光刻机，其中DUV又分为浸润式光刻机ArFi，干式光刻机ArF Dry。KrF光刻机、I线、G线光刻机的说法。

而这些光刻机，又对应不同的工艺制程的，业界其实是没有什么90nm、28nm、7nm光刻机之类的说法。

但最近，却总有新闻说国产28nm光刻机要来了，所以我也搞不懂，这个28nm光刻机，究竟是属于哪一种？猜测应该是浸润式光刻机中的一种吧，那为何他又是28nm呢？这个28nm是指最高工艺制程是28nm，还是指分辨率什么呢？

如果指最高工艺的话，这个28nm究竟是怎么得出来的，浸润式不应该是最高7nm么，而普通的ArF Dry最高一般是65nm？

然后如果指分辨率的话，如下图所示，ASML的浸润式光刻机NXT:1980Di分辨率为38nm，但能制造7nm芯片，这个28nm分辨率岂不是更先进了？

所以我有一点糊涂了，搞不清楚，这个28nm光刻机，究竟是怎么回事。

另外还值得一提的，很多人总以为，有了这台光刻机，国产芯片就有救了，再也不怕被卡脖子了，我觉得这事也值得商榷的，在我看来，仅有光刻机的突破，是救不了中国半导体的。

芯片制造，需要上百种半导体设备，光刻机只是产线上的一个主要设备，其他设备的国产替代和追赶同样重要。

这是从网络上得出一张图，显示的是几大关键设备，目前国际先进水平，与国内先进水平的差距情况表。

大家一看就知道，目前国内的关键设备，更多还是在14nm，而光刻机公开的是在90nm，未证实的是28nm，中间还是差的有点距离的。

除了这些设备之外，芯片制造过程中，还需要几十上百种材料，比如光刻胶、靶材、特种气体等等，有些材料，目前仅日本能制造，比如EUV光刻胶等。

你看看，这仅仅是一台光刻机的事情么？是众多个与光刻机一样重要的事情结合在一起，光刻机只是其中的一环而已。

说实话，目前美帝如果仅自己一家的力量，也搞不定14nm芯片，必须整合全球供应链，一个国家想要高度国产化搞定芯片产业链，制造出先进的芯片来，需要连续不断N多年如一日地投资投资再投资。

不仅要投资半导体设备、材料企业，还要想办法让下游的企业，有动力用国产芯片，而芯片企业有动力购买国产设备、国产材料，这个过程需要巨额投资，更需要时间，不是一台光刻机就能够解决的事情。