目前的芯片制造流程，均是基于光刻流程，所以光刻机必不可少。

而按照光刻机的种类，目前可以分为EUV、DUV、KrF、G线/I线等。而DUV又分为浸润式光刻机，干式光刻机。

其中EUV主要用于7nm以下工艺，浸润式用于7-65nm，干式光刻机用于65-130nm，KrF用于130-350nm，而而G线/I线用于350nm+。

但EUV光刻机全球只有ASML一家能够生产，所以可以说，全球的先进芯片产业，都被ASML卡住了脖子，只要ASML不卖EUV光刻机，没有哪一家厂商能够进入7nm工艺以下。

这当然是其它厂商不能忍的，所以其它的厂商，均想研发出新的技术，来替代EUV光刻机。

其中佳能是押注NIL纳米压印技术，就是像芯片的电路图刻到一个章子上，再将这个章子盖章一样盖到硅晶圆上，形成芯片。

不过目前这种技术，还处于早期阶段，但佳能表示到2025年要进入5nm，让大家绕开EUV光刻机，所以行不行，得看2025年。

而近日，另外一种技术又被众多的厂商提及，特别是intel还表示有了一些突破，已经用这种技术，搞定了18nm工艺，接下来有望进入到5nm，绕开EUV光刻机。

这种技术是什么呢，叫做DSA自组装技术，它并不是新东西，实际上10多年前就提出来了。原理就是利用一些化学药品，腐蚀硅晶圆，让硅晶圆在控制下，直接生成电路图。

不过早期，因为这种方法缺陷太大，生产的图案可控性不强，所以一直被大家忽视了，尤其当EUV技术出来之后，大家都选择了EUV光刻，很少有厂商去研究DSA了。

但现在摩尔定律快要失效了，光刻技术似乎已经无法支撑摩尔定律的发展，所以像NIL、DSA技术，才再度兴起，很多人觉得，利用NIL、DSA技术，或许可以给摩尔定律续命。

而英特尔通过研发，已经实现了一种DSA增强的EUV多图案化方法，最终金属间距为18nm，电气性能稳健，于是DSA技术，似乎又被大家重视了起来。

当然，从18nm进入5nm，可能要很久，甚至永远也进不了，但是很多企业还是表示有信心，觉得DSA肯定能够搞定EUV搞定的事情，甚至还会做到更好。

所以未来，究竟是EUV技术牛，还是DSA技术好，或者NIL技术更强，只有用时间来证明了。

不过值得一提的，目前从DSA技术，或者NIL技术，以及EUV技术来看，中国都是处于相对落后的，这些技术的专利，主要还是掌握在国外厂商的手中，EUV技术是ASML，NIL技术是佳能，而DSA技术主要是美欧厂商，所以中国还得加油。