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被美国打压后,中国大陆芯片制造技术,已落后台积电4代8年
2023-08-28 来源:只谈数码科技
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关键词:台积电芯片中芯国际

按照媒体的说法,苹果的iPhone15将于9月13日晚上发布。


而这次的iPhone将搭载全球首款3nm的手机Soc芯片A17,而这也是台积电首颗量产的3nm芯片,更是全球首颗量产的3nm手机芯片。


而在苹果A17之后,像高通、联发科、三星等,也将推出3nm的手机芯片,意味着芯片工艺,正式进入3nm时代。



而台积电进入了3nm,从另外一方面来看,也意味着中国大陆的芯片制造技术,相比于台积电,又落后了一代,从之前的落后2代,变成了落后4代。


目前中国大陆最先进的工艺是中芯的14nm工艺,而离3nm工艺,中间还有10nm、7nm、5nm这么三代,再加上3nm这么一代,一共是4代。


如果按时间来算,台积电于2015年就量产了16nm(等效于14nm工艺),而从16nm到3nm,台积电花了8年时间,相当于这4代,按照正常情况,至少需要8年时间。



大家都清楚,现在可不是正常情况,美国可是在打压中国芯片产业,全面禁止14nm及以下的设备销售,所以中国大陆要进入14nm以下工艺,时间未知……


事实上,当初美国没有打压的时候,中国大陆离台积电工艺,其实是不远的。


2015年台积电量产16nm(14nm),然后中芯国际在2019年量产14nm工艺,只相差4年。而2019年时,台积电还在量产7nm工艺,意味着当时中芯国际只落后台积电2代。



当时中芯国际请到了梁孟松这个大神,梁孟松带领中芯国际,迅速进入了14nm,并对10nm、7nm展开了研究,前期研究工作都已经准备好了,只等EUV光刻机。


谁知道这台EUV光刻机没有等到,反而等到了美国的禁令,不仅EUV光刻机买不到,连先进一点的DUV光刻机(浸润式光刻机)都买不到了。


然后中芯与台积电的差距,也就从落后2代4年,变成了落后4代8年了。



并且不黑不吹,如果禁令持续,落后只会越来越多,因为我们很长一段时间之内,会一直卡在14nm,要等到国产半导体设备均迈入14nm以下,才会有进步。


这个时间要多久,谁也不清楚,但估计肯定不是短时间的事情。所以国产芯片产业,真的要加油,任何重大的突破,一定要基于国产设备才算是真突破,假如借助美国的技术/设备来突破,依赖性太大,别人一卡就死,没有太多意义。



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