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东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装
2023-09-01 来源:华强电子网
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关键词:东芝碳化硅

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V,另外五款额定电压为1200V,十款产品于今日开始批量出货。



新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品,其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接,有助于减少封装内源极线电感的影响,从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%,关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。


使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计已在东芝官网发布。


东芝将继续扩大自身产品线,进一步契合市场趋势,并助力用户提高设备效率,扩大功率容量。


使用新型SiC MOSFET的3相逆变器


使用SiC MOSFET的3相逆变器


简易方框图


应用:

- 开关电源(服务器、数据中心、通信设备等)

- 电动汽车充电站

- 光伏变频器

- 不间断电源(UPS)

特性:

- 4引脚TO-247-4L(X)封装:

栅极驱动信号源极端使用开尔文连接,可降低开关损耗

- 第3代碳化硅MOSFET

- 低漏源导通电阻×栅漏电荷

- 低二极管正向电压:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)

主要规格:

(除非另有说明,Ta=25℃)

器件型号

封装

绝对最大额定值

电气特征

库存查询与购买

电压

VDSS

(V)

电压

VGSS

(V)

漏极

电流

(DC)

ID

(A)

导通

电阻

RDS(ON)

(mΩ)

栅极

阈值

电压

Vth

(V)

栅极

电荷

Qg

(nC)

电荷

Qgd

(nC)

输入

电容

Ciss

(pF)

二极管

正向

电压

VDSF

(V)

Tc=25℃

VGS=18V

VDS=10V

VGS=18V

VGS=18V

典型值

测量

条件

VDS

(V)

VGS=-5V

典型值

典型值

典型值

典型值

TW015Z120C

TO-247-4L(X)

1200

-10至25

100

15

3.0至5.0

158

23

6000

800

-1.35

在线购买

TW030Z120C

60

30

82

13

2925

在线购买

TW045Z120C

40

45

57

8.9

1969

在线购买

TW060Z120C

36

60

46

7.8

1530

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TW140Z120C

20

140

24

4.2

691

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TW015Z65C

650

100

15

128

19

4850

400

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TW027Z65C

58

27

65

10

2288

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TW048Z65C

40

48

41

6.2

1362

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TW083Z65C

30

83

28

3.9

873

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TW107Z65C

20

107

21

2.3

600

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注:

[1] 截至2023年8月

[2] 截至2023年8月,东芝测量值(测量条件:VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25℃)



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