虽然目前代工厂未知，工艺未知，甚至GPU、CPU核等都有很多未知，但不妨碍大家的兴奋和猜测，那就是没有EUV光刻机，我们能不能国产7nm的芯片？

事实上，这个问题已经是老生常谈了，ASML目前在售的DUV光刻机中，有四种高端的浸润式光刻机，分别是NXT:2100i、NXT:2050i、NXT:2000i、NXT:1980Di。

这4种浸润式光刻机，最高都是能够实现7nm芯片工艺的，怎么来实现呢，用的是多重曝光技术。

并且目前这种多重曝光技术，还有三种不同的方案，三种方案均可以在没有EUV光刻机，仅有浸润式光刻机的情况之下，实现7nm工艺。

这三种方式分别是LELE、LFLE、SADP。

具体来说，LELE是指将原本一层的电路，拆分成几层进行光刻机，这样即使是DUV光刻机，也可以实现7nm。

LFLE与LELE差不多，区别就是LELE是直接拆分成几层来光刻，而LFLE则是将第二层光刻胶加在第一层已被化学冻结但没去除的光刻胶上，再次进行光刻，形成两倍结构。

而SADP技术则与上面两种完全不一样了，SADP又称侧墙图案转移，用沉积、刻蚀技术提高光刻精度。

不过大家要注意的是，不管是LELE，还是LFLE，或者SADF技术，都提高了对刻蚀、 沉积光刻等工艺的技术要求，同时对工作台的要求也非常高，因为多次对准，不能有偏移。

而通过多重曝光影响也比较大，一是会导致良率降低，毕竟多曝光一次，误差肯定就会变大，所以良率就会降低一些。

同时多曝光一次，就相当于光刻的工时翻倍，效率降低一半，那么成本也会增加一倍。

所以如果光刻机精度跟得上的情况下，一般不会采用多次曝光的技术，因为效率降低，同时良率也会显著下滑，最终导致成本可能成倍数上涨，非常不划算的。

只有在买不到高精度的光刻机，又急需工艺较先进的芯片时，就不去考虑成本，不得不采用多重曝光技术了。

所以我这也算是给大家解释了，为什么没有EUV光刻机，也能够生产7nm芯片的原因。不过要进入5nm，就必须使用EUV光刻机，因为DUV光刻机精度有限，不能无限的多次曝光，按照专业人士的说法，目前的DUV光刻技术下，最多4次曝光，最多也只能达到7nm。