9 月 12 日消息，根据韩国 The Elec 报道，三星电子和 SK 海力士两家公司加速推进 12 层 HBM 内存量产。生成式 AI 的爆火带动英伟达加速卡的需求之外，也带动了对高容量存储器（HBM）的需求。HBM 堆叠的层数越多，处理数据的能力就越强，目前主流 HBM 堆叠 8 层，而下一代 12 层也即将开始量产。

报道称 HBM 堆叠目前主要使用正使用热压粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工艺，而最新消息称三星和 SK 海力士正在推进名为混合键合（Hybrid Bonding）的封装工艺，突破 TCB 和 MR 的发热、封装高度等限制。

Hybrid Bonding 中的 Hybrid 是指除了在室温下凹陷下去的铜 bump 完成键合，两个 Chip 面对面的其它非导电部分也要贴合。因此，Hybrid Bonding 在芯粒与芯粒或者 wafer 与 wafer 之间是没有空隙的，不需要用环氧树脂进行填充。

媒体报道，三星电子和 SK 海力士等主要公司已经克服这些挑战，扩展了 TCB 和 MR 工艺，实现最高 12 层。

报道称采用 Hybrid Bonding 工艺之后，显著提高了输入 / 输出（IO）吞吐量，允许在 1 平方毫米的面积内连接 1 万到 10 万个通孔（via）。