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美芯真的慌了,被中国芯片舍弃的芯片设计,高通重新捡起来
2023-09-25 来源: 柏铭007
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关键词:中国芯ARM台积电

在苹果的iPhone15发布之后,另一大重头戏将是高通即将发布的高端芯片骁龙8G3,业界人士指出高通为了缩短与苹果的差距,骁龙8G3采用了更激进的设计,进一步减少了小核心的数量,如此可能导致的发热问题再度重演。


据了解骁龙8G3将采用四丛集设计,这是中国芯片企业开创的芯片架构,当时联发科推出的helio X20采用了双核A72+四核高频A53+四核低频A53的设计,以A72提供高性能,以八核A53冲高整体跑分,这种开创式设计在当时曾引发了热议。


更多核心和更多丛集的设计由联发科引领,其实也是当时联发科的无奈,由于联发科在技术方面与高通存在差距,以致于联发科在手机芯片市场一直都只能跟在高通的屁股后面,为此迫使联发科不得不采用更激进的设计。


然而联发科的多核设计和多丛集设计最终并未能帮助它在手机芯片市场赶超高通,而helio X20更可以说是联发科的滑铁卢,X20未能获得太多手机企业的认可,到了X30更是只有魅族采用,在高端市场大受打击之后,联发科暂时放弃了高端芯片市场,而专注于中低端芯片市场,直到2年后的2019年中国手机因为美国的原因再度支持联发科,2020年联发科首次在年度芯片出货量上超越高通,联发科才重回高端芯片市场。


从helio X20也可以看出,虽然联发科激进地采用了三丛集设计,但是联发科为了降低功耗只是采用了两个高性能核心A72,另外八个核心都是低功耗的A53,可以看出联发科为了控制功耗,在核心选择方面还是较为保守的。



多年之后,高通又捡回了联发科舍弃的多丛集设计,其实也得到了教训,高通的首款多丛集设计芯片为骁龙888,骁龙888激进地采用了ARM的首款超大核心X1,结果就是骁龙888成为火龙,导致当年采用骁龙888的多款中国手机被用户诟病发热严重。


其实这已不是高通第一次得到教训了,多年前ARM首次推出高性能核心A57的时候,高通也是尝鲜者,结果采用A57的骁龙810成为史上最知名的火龙,也导致那一年高通的高端芯片骁龙大跌八成,而高通显然未吸取教训,不仅骁龙888再次成为火龙,连随后同样采用三丛集设计的骁龙8G1也有较大的发热问题,当然这个也与三星的工艺不过关有关,直到采用了台积电的4纳米工艺才接近发热问题。


骁龙8G1为单核X2+三核A710+四核A510架构,这样的设计都容易出现发热问题;这次的骁龙8G3据悉可能采用了四丛集架构,即是单核X4+双核A715+双核A710+双核A510架构,低功耗核心进一步减少一个,而性能核心则增加了一个,如此骁龙8G3的发热量必然会比骁龙8G1更大,而工艺方面则仍然是台积电的4纳米,能否控制发热就是值得商榷的问题。


当然高通激进的设计让骁龙8G3在性能方面确实表现较为出色,geekbench的数据指单核提高了15%左右,但多核高了27%,这就证明了它采用更多的性能核心让它的多核性能提升幅度更大。



高通如此激进在于它当下面临的窘境,高端芯片市场已成为它最后的阵地,不过近期国产5G手机的推出让它在高端芯片市场失去6000万芯片订单,联发科又在不断进攻,促使它不得不以更激进的态度设计芯片,保住最后的市场优势,也可以说它是慌了。



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