近日，芯片光刻机又有了大突破，不过都和中国无关，一是俄罗斯报道称只花了37万元，就生产出了DUV级别的光刻机，然后还表示在明年要搞定7nm的样机。

另一家是日本光刻机巨头佳能表示，生产5nm芯片的光刻机正式销售，不过这种光刻机，不是大家熟悉的EUV光刻机，而是采用NIL纳米压印技术。

这两个消息，都是国外的突破，都与中国光刻机无关，但这两件事情，还是给我们非常大的启示，我觉得国产光刻机，真的需要重视。

俄罗斯之前是不能生产光刻机的，哪怕最简单的i线、G线光刻机，俄罗斯都是进口的，这次居然直接生产出了DUV级别的，还只花了37万元，你说这震撼不震撼？

同时俄罗斯还提出了X射线方案，表示明年要生产出7nm光刻机的样机，这可是相当大的一步了。

而佳能之前的的技术只有ArF光刻机，与上海微电子是同一水平的，现在突然就进入了5nm，还采用了NIL这种全新的技术，绕过了EUV方案。

这说明，光刻机并没有想象中的难，只要努力，一定能够突破的，要知道中国在光刻机技术上有很多积累，从其研发历史来看，其实最早与美国相差并不大的，有很多经验，难道还比不上俄罗斯？还比不上佳能？

另外，俄罗斯换道X射线方案，佳能换道 NIL技术方案，都绕开了EUV技术，为什么会绕开，这是因为ASML已经将EUV方案的核心供应链，全撑在自己手中了，其它厂商，要想在EUV上走通，非常难，需要重塑整个供应链。

而俄罗斯的X射线方案，佳能的NIL方案，都绕开了EUV，就是避免在ASML掌握的地盘上重新搞一堆供应链出来，而这两种方案，似乎都有了好的结果，所以我们是继续在ASML垄断的路上死磕EUV，还是换道超车呢？