众所周知，前段时间华为麒麟9000S芯片的横空出世，让大家都认为，我们有了7nm芯片的制造能力。

因为按照外媒采用电子显微镜，对这颗芯片进行扫描并逆向分析后，得出其晶体管密度约为98MTr/mm2，也就是9800万个每平方毫米，与台积电的7nm工艺差不多。

我们没有EUV光刻机，那么这种等效于7nm的芯片，是如何造出来的？专业人士分析，采用浸润式光刻机，采用多重曝光的技术。

而浸润式光刻机，之前ASML是可以卖给我们的，ASML只有EUV不能卖给我们，所以我们可以利用浸润式光刻机，进行多重曝光，最终搞定7nm。

事实上，美国去年的芯片禁令，是限制任何14nm及以下工艺的设备卖到中国来的，所以严格的来讲，对美国而言，这种浸润式光刻机，其实算是一个“漏洞”了。

所以，当麒麟9000S横空出世之后，近日，美国终于再次出手，将这个“漏洞”堵住了。

按照近日再次升级的芯片禁令，针对光刻机，美国提出了更高的要求，针对193nm波长、分辨率小于40nm的光刻机，其DCO值不能小于2.4，而去年针对这种光刻机，DCO的值是不小于1.5。

而ASML目前在售的所有浸润式光刻机中，相对最落后的一款型号是NXT:1980Di，波长是193nm，分辨率是38nm，DCO值是1.6，介于1.5和2.4之间。

按照去年的禁令，DCO值是1.6大于1.5，所以是可以销售的。按照这次升级的禁令，DCO值小于2.4了，所以又是不能销售的，那么意味着ASML所有的浸润式光刻机，均无法卖到中国大陆来了。

很明显，美国这次就是想将所有浸润式光刻机都堵住，不留任何破绽，让我们想利用浸润式光刻机，采用多重曝光技术来生产7nm芯片都不行，从而阻止麒麟9000S这样的芯片出现。

不过，大家也都清楚，之前这种浸润式光刻机没有受限，所以国内肯定买了很多，这些光刻机后续可以继续使用，短时间之内肯定没太多问题的。

但是，由于禁令限制，一旦所有浸润式光刻机都受限之后，后续的维护、保养、更换备件都会受影响，所以最终还得自研，靠自己来突破才行。