众所周知，目前的芯片制造光刻机，分为很多种。比较常规的分法是G线、I线、KrF、ArF、ArFi、EUV光刻机这么6种。

为何会这么分呢？原因是这6种光刻机，采用不同波长的光源，然后可以制造的芯片工艺也不一样，如下图所示，一看大家就都懂的。

当然，目前最受大家关注的，主要还是ArF，ArFi，EUV这三种，也是目前需求最大的三种。

其中ArF是普通的干式DUV光刻机，采用193nm波长的深紫外线，所以称为DUV光刻机。

ArFi与ArFi其实是差不多，也是193nm波长的深紫外线，也可以称之为DUV光刻机，不过这种光刻机，在硅晶圆上采用了一层水来作为介质，而193nm波长的深紫外线，经过水折射后，等效于134nm的波长，所以也称之为浸润式光刻机。

ArF与ArFi只有一层水的差距，但也因为这一层水，可以制造的芯片就不一样了。普通干式DUV光刻机，最小可以支持到65nm工艺。

而ArFi这种浸润式光刻机，最小可以支持到7nm工艺，不过需要采用多重曝光技术，这些曝光技术，主要有LELE，LFLE，以及SADP、SAQP这4种，这里就不一一展开去谈了。

以前ASML的DUV光刻机，也包括浸润式光刻机，是可以卖给中国的。后来在今年9月份，荷兰的芯片禁令执行，ASML的浸润式光刻机中，只有NXT:1980Di这台最老的能卖，新的型号都不能卖了，不过ASML表示它已经获得了许可证，年内暂时还不受影响。

但近日，美国再次升级禁令，根据新的规则，这次ASML所有的浸润式光刻机，都不能卖到中国来了，除非有许可证。

至于年内，ASML的许可证有没有效，中国还能不能随便买ASML的浸润式光刻机，暂时还没有确切消息，但从明年开始，肯定是任何浸润式光刻机都不能卖了，除非ASML调整参数，进行阉割，以满足美国禁令的要求。

美国为何这次针对浸润式光刻机下手？原因很简单，前面已经讲过了，那就是浸润式光刻机，经过多重曝光，最高可以支持7nm工艺。

而美国去年就想将中国芯片工艺锁死在14nm的，谁知道今年Kirin9000S出炉，它等效于7nm，这明显算是打脸美国了，于是美国赶紧升级，直接将浸润式光刻机也禁了，美国不希望再有类似的事情发生。

那么，在这样的情况之下，我们的7nm还有戏么？短时间之内肯定有戏，因为之前买的还能够使用啊。至于很长一段时间之后，也许我们自己的ArFi光刻机有了突破呢？所以其实我们也不必太担心，认真研究，努力突破，减少对国外设备的依赖，是我们的必由之路，按照这个目标一直走，一定会成功的。