众所周知，前段时间，佳能官宣自己的FPA-1200NZ2C光刻设备，可以出货了，这种光刻设备，采用的是NIL纳米压印技术，可以制造 5 nm 芯片。

一时之间，全网沸腾，大家都表示，这是绕开了ASML的EUV光刻机，能直接生产5nm芯片，是一个伟大的进步，ASML接下来估计要哭了。

毕竟之前所有的芯片制造，进入5nm时，必须使用EUV光刻机，而EUV只有ASML能够制造，所以ASML是高端光刻机的王者，现在佳能搅局，让大家不需要从ASML采购EUV光刻机，也能够生产芯片，当然对ASML影响最大。

且佳能还表示，这一代NIL纳米压印光刻机之后，佳能正在研究下一代，可以实现2nm的芯片制造，也不需要EUV光刻机。

当然，业界对这个技术也比较质疑，因为之前铠侠、SK海力等，与佳能合作过，搞过NIL纳米压印技术，还是在20多纳米的时候，但那时候良率低，效率也低，现在进入5nm，佳能搞定良率、效率等问题了么？

还有人质疑，有了NIL纳米压印光刻机后，EUV光刻机真的可以扔了么？

但我告诉大家一个事实，那就是你使用NIL纳米压印技术来制造5nm芯片时，其实还离不开EUV光刻机。

NIL纳米压印技术的原理，很简单，就像盖章一样，第一步先雕刻一个图章出来，下一步拿这个图章，直接印到硅晶圆上，就形成了电路图。

只要这个图章不磨损，就可以一直盖章盖下去，看起来确实简单很多，原理也简单。

但核心是这个图章，你必须制造出和设计出来的芯片一样大小，一样图案的图章，然后才能盖下去，如何制造这个图章，才是真正的核心问题。

盖章的过程示意

目前在NIL纳米压印技术生产线中，图章的制造，还是采用EUV光刻机来制造，用EUV光刻机来雕版，制造成需要的图章，然后再利用NIL纳米压印技术，拼命的往硅晶圆上盖章，制造成芯片。

可见，在这个技术之下，EUV光刻机依然绕不过去，只是可能需求量没那么大了，毕竟只需要制造前期的母版就行。

但要完全绕开EUV，似乎还不可行，并且这个NIL技术，可靠性怎么样，效率怎么样，良率怎么样，与其它半导体设备的配合又怎么样，还不清楚，所以大家别想着，有了这个NIL光刻机，EUV就不重要了，所以我们还是老老实实的，一步一步往前走，别想着绕道或偷懒，你觉得呢？