不知道从什么时候起，很多人认为制造7nm芯片，必须要有EUV光刻机，而一旦得不到EUV光刻机，最多就是10nm，进入不了7nm。

但不曾想，前段时间遥遥领先品牌，搞出了一颗等效于7nm的芯片，其晶体管密度达到了98MTr/mm²，也就是9800万个每平方毫米，等效于台积电、三星的7nm工艺。

一时之间，网友们都沸腾了，不仅国内的网友沸腾了，连海外媒体也沸腾了，天天拆解这款手机，分析这颗芯片，最后得出的结论是，没有EUV光刻机的痕迹。

这就证明了，它不是EUV光刻机的产物，而看到这个结果，估计ASML也是松了口气，因为一旦有EUV光刻机的痕迹，只怕ASML跳进黄河也洗不清了，因为全球只有他能够生产，而美国不准他卖到中国大陆来的，他怎么敢背这个锅。

然后，大家就又猜测，那么没有EUV光刻机，7nm芯片又是怎么来的呢？

事实上，通过浸润式光刻机，经过多次曝光，完全可以实现7nm工艺。而多重曝光方式，甚至有LELE、LFLE、SADP等多种方式。

只不过与采用EUV光刻机相比，多重曝光方式意味着工艺更复杂，良率会降低，效率会降低，成本会提高而已，当没有办法时，那也不得不用。

之前台积电的第一代N7工艺，就是使用的浸润式光刻机生产的，比如苹果的A12、华为海思980，均是浸润式光刻机下的7nm产物。台积电直到第二代N7工艺，才导入EUV光刻机，在当初的时候，台积电还会强调，这是EUV 7nm工艺，与非EUV工艺进行区分。

而使用浸润式光刻机，能够制造出7nm芯片，也是我们的底气，因为浸润式光刻机，目前国内并不少，这么多年购买下来，产能非常大，毫不担心封禁。

何况按照媒体的说法，目前国内自研的浸润式光刻机，也快要来了，所以这就是我们的底气和能力。

而近日，浸润式光刻机之父林本坚，前台积电研发副总，更是有不同的观点，他觉得中国大陆甚至有可能利用现有的设备，进行改进，制造出5nm的芯片出来，不一定非得要EUV光刻机才行。

当然会不会是这样，就让我们拭目以待了，当谜底真正掀开的那一刻，估计我们就全部做好了准备，毕竟能够制造5nm芯片，意味着全球98%的芯片能够制造了，那还怕啥？