众所周知，目前国内的芯片产业，被光刻机卡住了脖子。

如果ASML不卖浸润式光刻机，不卖EUV光刻机给我们，在国产光刻机没有突破的情况之下，我们很难进入7nm以下。

而最近几年，经常也有各种国产光刻机突破的消息，经常有一些媒体称，国产28nm光刻机快出来了……

那么问题来了，目前光刻机的一些核心部件，国产化到哪一步了？

我们知道，光刻技术是在特定波长的光照作用下，借助光刻胶将光掩模上的图形转移到基片上的技术工艺。

如果从原理来看，其过程是光源穿过光掩模，并通过透镜使得光掩模缩小，最终使光落于覆盖有光刻胶的基板上，最终完成对底片的雕刻。

核心部件一是光源系统，核心二是物镜系统，核心三是双工作台。当然除了这三大核心器件之外，还有能量探测器、遮光器等等，我们这里不细说，只说这三大核心器件。

光源系统，DUV光刻机，包括ArF，以及浸润式的ArFi，采用的都是193nm波长的光源，称之为深紫外线，目前上海微电子的90nm光刻机，采用的也是193nm，和浸润式光刻机是一致的，最高可以支持到7nm，这一块不是短板，在EUV之前，都能用。

物镜系统，这一块才是真正的难点，考验的是光学水平。

ASML的物镜系统，是由全球最牛的光学公司卡尔蔡司提供的，卡尔蔡司是ASML 透镜，反射镜，照明器，收集器和其他关键光学元件（即光学元件）的唯一供应商。

目前国产光刻机的物镜系统，正在使用的还在90nm，不过据称长春光电所的物镜系统已经达到了32nm，暂时还不清楚有没有使用到光刻机上。

可见，在物镜系统这一块，国内的公司与之相比，还有非常大的差距，这可能也是制约国产光刻机突破的重要因素之一。

再看工作台方面，这一块是机械、自动化、精密仪器方面的能力。

目前ASML的光刻机，其精度能够在高速运动下保持 2nm 精度，国内这一块，之前有媒体传出清华大学和华卓精科合作研发出光刻机双工作台，精度为 10nm，虽然不如2nm，但已经相当不错了。

另外关于浸润式光刻机，还有一个浸润式系统，这一块考验的其实也是传感器、仪器控制等，193nm波长的光源，通过浸润式系统后，就变成了134nm。

目前在这一块，国内暂时还没有传出突破的消息，但也传出国内企业启尔机电在浸液控制系统上取得了重大突破，具体到哪一步了，还不太清楚。

由此可见，国产光刻机，看起来也没有想象中的那么难，光源、工作台不是问题，物镜系统也快了，浸润式系统也有突破，国内厂商们正在一步一步突破，相信浸润式国产光刻机，真的不太远了。