据报道，三星电子成立了一个负责开发下一代芯片处理技术的业务部门，该公司的目标是在人工智能（AI）芯片领域占据领先地位。

业内消息人士本周三表示，三星最近成立了该部门负责开发新技术，以保持在芯片加工领域领先于台积电等竞争对手。

消息人士称，新部门将由Hyun Sang-jin领导，他在三星半导体工艺节点的技术进步和先进的3纳米芯片量产方面发挥了关键作用。

据悉，该部门将隶属于三星设备解决方案（DS）部门中的芯片研究中心，该部门将负责监督其半导体业务。

其中一名知情人士表示：“三星希望开发新技术，使其在未来10年或20年领先于竞争对手。”

三星希望开发出能够改变游戏规则的技术——类似于去年推出的全环绕栅极（Gate-All-Around,GAA）技术。三星表示，与之前的处理节点相比，3纳米GAA技术的性能提升了30%，能耗降低了50%，芯片面积减少了45%。GAA技术与台积电和其他使用FinFET工艺技术的代工企业存在竞争关系。

虽然三星是最大的存储芯片制造商，但在代工芯片领域的市场份额远远落后于台积电。

此外，本月初，有消息称，三星计划在明年推出先进的3D芯片封装技术，以更好地与对手竞争。消息人士称，该技术被称为“SAINT”（即Samsung Advanced Interconnection Technology，三星先进互连技术），将以更小的尺寸集成AI芯片等高性能芯片所需的存储和处理器。

业内人士表示，三星成立了一个新的芯片工艺技术开发部门，由该公司半导体业务负责人Kyung Kye-hyun领导。在本周一的高层人事调整中，Kyung Kye-hyun保留了联席首席执行官兼DS部门负责人的职位。此外，他还被任命为三星先进技术研究院（SAIT）的负责人。

新部门的推出是三星努力在AI芯片领域占据领先地位所采取举措的一部分。根据Gartner的数据，该领域预计到2027年将从今年的534亿美元增长到1194亿美元。

然而，三星在高带宽存储器（HBM）和DDR5 DRAM等先进存储芯片市场上落后于另一家韩国本土竞争对手SK海力士（SK Hynix）。

HBM是一种高容量、高性能的半导体芯片，可用于支持ChatGPT等生成式AI设备、高性能数据中心和机器学习平台，对HBM的需求正在飙升。

业内人士表示，随着三星电子的业务重点从存储芯片扩展到代工和芯片设计，包括优秀研究人员在内的投资资源已经分散到更先进的芯片工艺技术上。