近年来，随着科技的飞速发展，电子产品对于存储器的需求不断攀升。作为存储器市场的重要组成部分，NAND闪存和DRAM的价格波动备受关注。据业内消息人士透露，近期NAND闪存现货价格持续上涨，而DRAM定价趋势则不太稳定。这一现象背后，上游供应紧张、芯片厂商减产以及市场需求等因素共同作用，成为了影响存储器价格走势的关键。

一方面，NAND闪存现货价格持续上涨。由于芯片厂商持续减产，上游NAND供应依然紧张，存储模组厂商在价格进一步上涨之前无法建立足够的库存。此外，渠道库存压力并未阻止NAND闪存晶圆价格上涨。主流512Gb市场的现货价格强劲上涨，进一步推动芯片供应商实现收支平衡。值得注意的是，NAND闪存价格波动对我国科技产业带来了较大影响，尤其是智能手机、电脑等电子产品制造商。

另一方面，DRAM定价趋势则不太稳定。随着旺季接近尾声，11月存储现货价格增长放缓。由于市场需求减弱，部分业内人士预测DRAM价格未来可能出现波动。然而，由于芯片厂商持续减产，市场上对于DRAM的需求依然存在，这使得DRAM价格尚未出现明显下滑。然而，随着市场需求的变化以及上游供应情况的波动，DRAM价格未来仍存在不确定性。

在这一背景下，业内专家建议，对于电子产品制造商而言，合理安排生产计划，根据市场需求调整产品结构，以应对存储器价格波动带来的影响。同时，加大对上游产业链的投入，提高自主研发能力，以应对未来存储器市场的竞争。

此外，政府层面应加强对存储器产业的扶持力度，鼓励企业加大投资，提高产能。同时，推动产业链上下游企业加强合作，形成产业协同效应，降低生产成本。在国际市场上，我国企业应积极参与全球竞争，争取更多的市场份额。

总之，NAND闪存现货价格持续上涨，DRAM定价趋势不稳定，给我国科技产业带来了诸多挑战。应对存储器价格波动，需要企业、政府和社会各方共同努力，推动我国存储器产业健康发展。在此基础上，我国科技产业有望在全球竞争中脱颖而出，实现科技强国的目标。