众所周知，在没有进入浸润式光刻机技术之前，当时光刻机技术是采用193nm波长的光源，生产普通的ArF光刻机，最多支持到65nm工艺的芯片。

当时尼康、佳能才是光刻机老大，ASML只是一家小企业，完全不具备竞争力。

从193nm波长光源之后，业界对下一步采用什么光源操碎了心，佳能、尼康认为要使用154nm，这样支持的芯片就可以进入到28nm及以下，跨过65nm这个坎。

但这时候，台积电的林本坚认为，不一定非得采用154nm波长的光源，继续使用193nm光源，但在晶圆前加一层水，光线通过水后折射，就等效于134nm了，这样比154nm更短，理论分辨率更高，制造的芯片工艺也越先进。

但佳能、尼康在154nm波长光源上已经投入太多，不相信林本坚提出的方案，觉得还是继续研究154nm光源比较好，免得前期的研究浪费了。

只有ASML觉得自己反正是小厂，已经在佳能、尼康的光刻机面前快要活不下去了，不如配合台积电折腾一把，万一成功了呢？

谁知道这一折腾，真让ASML成功了，推出了ArFi光刻机，介质是水，不再是空气，也叫做浸润式光刻机，之所以叫浸润式，就是因为其使用的是水，是湿润的。

而尼康、佳能选借了路线，154nm光源的光刻机，一直研发不出来，最后不得不放弃，转向浸润式光刻机。

但佳能一直没研发出来，尼康倒是研发出来了，不过其效率、工艺均达不到ASML的水平，所以慢慢也被边缘化了，ASML份额越来越高，最后ASML独占90%的市场，尼康+佳能合计仅10%左右。

但近日，尼康终于表示，自己的浸润式光刻机又上新了，采用了增强型的浸润式系统，可以具有更好的精度，导致生产速度增加了，相比于上一代效率提高了10-15%，是尼康有史以来效率最高的光刻机。

同时因为精度提高，所以新的浸润式光刻机，可以支持到5nm芯片，也就是说不需要EUV光刻机，也能够进入7nm以下了。

不过，按照日本的禁令，40nm以下的光刻机，均不能卖给中国大陆，所以尼康的浸润式光刻机虽好，依然无法解决我们的光刻机困扰，我们还得靠自研。

另外佳能如今也出货纳米压印光刻机，最高也能够支持5nm芯片，可见日本在光刻机方面，可能又要支棱起来了， 不知道ASML会不会担忧？