兆易创新:价格平稳,MCU进入筑底阶段
2023-12-27
来源:道合顺芯闻
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12月26日,兆易创新在投资者互动平台表示,在今年三季度末大存储出现一些价格反弹,此反弹对利基存储有一定的带动效应,利基存储价格也在筑底并有微弱反弹。NOR Flash和SLC Nand Flash价格基本已经趋于平稳,价格真正有效的反弹还要再持续观察。
兆易创新DRAM主要为利基型产品,包括小容量DDR4、DDR3等产品,也在积极开展8Gb DDR4等其他利基型DRAM产品研发,以补齐整个标准接口利基型DRAM产品线,有效支撑公司DRAM业务发展,满足客户需求。
其中,SPI NAND Flash产品在消费电子、工业、汽车电子等领域已经实现了全品类的产品覆盖,公司Parallel NAND Flash产品可覆盖1Gb~8Gb四个容量范围,为工业、通讯、以及消费类电子提供丰富、高速、高可靠的方案选择。
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