外媒报道指ASML今年量产的10台2纳米光刻机将有6台优先交付给Intel，这意味着台积电和三星将只能争夺剩下的4台，并且这4台光刻机的量产时间也较晚，将导致它们在2纳米工艺研发方面落后于Intel。

今天了曾长达20多年引领全球芯片制造工艺，也正是由于它拥有先进的工艺，导致AMD在PC处理器市场竞争中落败，而始终难以真正实现对Intel的超越。

不过自从2014年量产14纳米之后，Intel的创新步伐就开始放缓，10纳米工艺延迟了3年时间，7纳米工艺也延迟了2年时间，而台积电、三星则保持了1-2年量产一代先进工艺，到如今台积电和三星已量产了3纳米工艺，Intel的最先进工艺则停留在7纳米。

先进工艺发展到3纳米已面临新的瓶颈，三星激进采用GAA技术导致芯片工艺良率低至两成以下，台积电保守一些采用了原来的FinFET技术，但是良率也只有55%左右，但是却导致生产的A17处理器性能仅提升一成还存在功耗过高的问题。

导致3纳米工艺存在弊病，一方面在于先进工艺逐渐接近1纳米的极限，另一方面则是现有的第一代EUV光刻机并不适合生产3纳米工艺，如此情况下，Intel、台积电和三星都开始争夺ASML第二代EUV光刻机，也就是2纳米光刻机。

ASML虽然是全球最大的光刻机制造企业，并且也是唯一可以生产EUV光刻机的企业，不过EUV光刻技术却是来自美国，当初美国成立EUV联盟研发成功EUV光刻技术，绕开了日本的光刻机企业，而将该项技术交给ASML，由此ASML彻底奠定光刻机老大的地位。

如此情况下，ASML就必须听从美国的要求，而如今ASML即将量产2纳米光刻机，却将其中的六成优先交给Intel，中间有没有美国的影响不言自明，这也说明了美国还是更相信自己的本土企业，对三星和台积电不放心。

对比之下，此前三星和台积电可以说是对美国掏心掏肺，美国要求上交机密数据，他们交了；美国要求他们赴美设厂，他们也做了，然而他们言听计从的结果却是后来美国屡屡违背承诺。

美国承诺只要台积电和三星赴美设厂，那么就给予丰厚的芯片补贴，然而在台积电和三星正式赴美设厂后，美国却分别只给予10%、13%的芯片补贴，随后提出的芯片细则又要求它们共享芯片技术并分享利润，核心技术可是企业的命根子，如此也就是变相要求台积电和三星舍弃这部分有限的芯片补贴。

到如今美国在2纳米光刻机上作梗，而Intel则优先得到最多的2纳米光刻机，一切都显示出美国的心思就是扶持Intel再度取得芯片制造技术领先优势，只有作为美国本土企业的Intel才能让美国放心，这是有先例的，当年通用电气和阿尔斯通在电气市场竞争失败，阿尔斯通随即发生了诸多事情，最终阿尔斯通不得不低价将电气业务卖给通用。

台积电此刻恐怕感叹，“我本将心照明月,无奈明月照沟渠”，在3纳米工艺上已受挫，如果再在2纳米工艺研发方面落后，那么他的辉煌或许将就此终结，因为Intel不仅要重夺先进工艺，还大举抢占芯片代工市场，Intel已首次跻身全球芯片代工TOP10，抢走了台积电的部分订单，Intel未来或许会成为台积电的巨大威胁。