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台积电,三星5nm、3nm芯片,是制程骗局?事情没这么简单
2024-02-20 来源:科技专家
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关键词:台积电三星芯片

网上有一个观点,那就是从28nm之后,摩尔定律其实已经死了。


从28nm工艺制程开始,芯片的纳米工艺,已经不与晶体管密度,栅极长度、金属半间距等直接相关了。


从28nm之后,芯片工艺,就已经是等效法,即等效于多少纳米,而不是实际多少纳米。


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具体来说,在28nm之前,芯片工艺其实是指晶体管的栅极长度,专业词叫Gate Length。,这个工艺每一代缩小30%,也就是变成原来的70%。


所以也就有了90nm、65nm、45nm这些,但到了28nm之后,栅极长度,无法再每一代缩小30%了,于是芯片厂商们,也就不再用栅极长度来命名了工艺了。


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各大晶圆厂,便开始在性能(Performance),功耗(Power),以及面积尺寸(Area)方面,进行不断优化改进。


就算栅极长度,并没有真正缩小30%,但只要较上一代在某一方面进步了30%,就认为这是新一代的工艺。


所以一直以来,很多人都说台积电、三星的芯片工艺,在28nm之后,就是一场制程骗局,晶圆厂负责编,芯片厂捏着鼻子也要认。


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但事实上,事情真没这么简单,线宽工艺的停滞,或者陷入物理极限,并不代表摩尔定律的衰亡,也并不代表制程就是骗局。


最近这10多年间,虽然在所谓的线宽或栅极上没有长足的进步,但大家都在采用先进的架构设计,来立体化堆叠晶体管,并最终转化为“等效制程”的工艺。


这些一样需要先进的技术,需要各大晶圆厂,不断的提升工艺,改进技术,其难度,并不比缩小线宽或栅极长度低。


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举例说明,7nm比10nm更先进,哪怕它们是一种工艺制程的,而5nm也比7nm先进,3nm又比5nm芯片,这是很明显的事情,我们不能单纯的看栅格有没有缩小。


借助架构和工艺的提升,来实现更小制程的效果,依然是一件非常难,且复杂的事情,没有积累,先进设备、高超的技术,依然不可能实现。


同样的,很多人觉得制程工艺没进步,我们就能够很快的追上台积电、三星了,这也是片面的看法,实际上没有想象的容易,对手们不会停下来等待中国芯片制造的追赶,我们也别幻想别人无法进步了,“丢掉幻想,准备战斗”,才是我们真正要干的事情。



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