中国，2021年5月18日——意法半导体发布了MasterGaN的首个参考设计，展示了新款高集成度器件如何提高功率密度、能效，简化产品设计，缩短上市时间。

EVLMG1-250WLLC 参考设计是一个250W谐振变换器，电路板尺寸是100mm x 60mm，最高组件高度是35mm。功率芯片是集成了一个STDRIVE半桥栅极驱动器以及两颗650V常关的GaN晶体管的MasterGaN1。其具有匹配的时序参数，导通电阻(Rds(on)) 150mΩ，最大额定电流10A，逻辑输入兼容3.3V至15V信号。

MasterGaN1适用于最高400W的AC/DC电源、DC/DC变换器和DC/AC逆变器应用中的高效软开关拓扑，包括谐振变换器、有源钳位反激或正激变换器，以及无桥图腾柱PFC(功率因数校正)。

利用GaN功率晶体管的高能效，参考设计一次侧采用无散热器设计。此外，GaN晶体管的开关性能出色，工作频率高于普通硅基MOSFET解决方案，因此可以使用较小的电磁元件和电容，实现更高的功率密度和更低的物料清单成本。

EVLMG1-250WLLC是一个标称400V输入的电源参考设计，提供一个24V/10A输出端口，最高能效超过94%。得益于MasterGaN内部集成的安全功能，变换器输出有短路和过流保护功能。还具有欠压保护和输入电压监测功能，电压检测功能可在多个DC/DC变换器中实现上电排序，防止电动机低压起动。

意法半导体的MasterGaN系列产品由引脚兼容的集成半桥产品组成，包括对称和非对称配置，采用9mm x 9mm的薄型GQFN封装。封装内部电路额定电压最高650V，高低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。MasterGaN模块适用于各种额定功率，工程师略做硬件修改，即可扩展升级系统设计。