【国产替代】ARK（方舟微）DMZ42C10S 完美替代 英飞凌BSS169
1、DMZ42C10S产品简述
DMZ42C10S是ARK（方舟微）研发的一款耐压100V的N沟道耗尽型MOSFET产品，该产品性能优异，可靠性高，且参数定义范围与Infineon的BSS169基本一致。相较于BSS169，DMZ42C10S具有更低的导通电阻，以及更大的电流能力，可以对BSS169实现Pin-to-Pin完美替代。
2、DMZ42C10S与BSS169对比
1)封装形式对比
图1. DMZ42C10S封装类型及电极脚位 图2. BSS169封装类型及电极脚位
DMZ42C10S和BSS169均为SOT-23封装，且D、G、S电极分布完全一致。
2)主要静态参数定义范围对比
Item |
BVDS |
VGS(OFF) |
ID(OFF) |
IGSS |
RDS(on) |
RDS(on) |
IDSS(Min) |
Test condition |
VGS=-10V, ID=250uA |
VDS=3V, ID=50uA |
VDS=100V, VGS=-10V |
VGS=20V, VDS=0V |
VGS=0V, ID=50mA |
VGS=10V, ID=190mA |
VGS=0V, VDS=10V |
DMX42C10S |
＞100V |
-2.9V～-1.8V |
＜0.1uA |
＜10nA |
＜6Ω |
Type: 1.2Ω |
＞90mA |
BSS169 |
＞100V |
-2.9V～-1.8V |
＜0.1uA |
＜10nA |
＜12Ω |
Type: 2.9Ω |
＞90mA |
*上述数据来源于两款产品的数据手册。
DMX42C10S各项参数的定义范围与BSS169基本一致。
3)样品参数实测对比
Item |
IGSSR |
IGSS |
ID(OFF) |
BVDSS |
VGS(Off) |
RDS(ON) |
IDSS |
Test condition |
VGS=-20V |
VGS=20V |
VDS=100V |
IDS=250uA |
ID=50uA |
IDS=50mA |
VDS=10V |
VDS=0V |
VDS=0V |
VSG=10V |
VSG=10V |
VDS=3V |
VG=0V |
VGS=0V |
|
DMZ42C10S |
0.208nA |
0.203nA |
0.002uA |
114.6V |
-2.4V |
1.78Ω |
530.6mA |
BSS169 |
0.375nA |
0.438nA |
0.002uA |
149.8V |
-2.1V |
5.93Ω |
217.3mA |
DMZ42C10S具体更低的导通电阻和更大的电流能力，BSS169的实际耐压高于DMZ42C10S(注：ARK（方舟微）已经开发出了实际击穿电压与BSS169相近的升级款产品，后续即将推出)。
3、耗尽型MOSFET产品在应用中对标的主要特点说明
耗尽型MOSFET在绝大多数应用中，都是工作在亚阈值状态下（即栅-源电压VGS满足：VGS(OFF)＜VGS＜0V），此时耗尽型MOSFET的参数具有如下特点：
a．导通电阻RDS(ON)：亚阈状态下导通电阻是变化的，且会明显超过VGS=0V时的电阻值（规格书中给出的电阻参数）；但是当MOSFET工作在直通状态时，导通电阻越小，则会带来更低的电压降，且相应具有更大的电流能力。
b．阈值电压VGS(OFF)：只需要满足电路驱动电源要求以及电路参数要求即可，如搭配运放使用时，只要符合运放的驱动输出范围即可；如搭配电阻实现限流的应用，通过调节限流电阻的阻值，也可以使用不同阻值的电阻达到相近的限流需求。因此，不一定需要完全一样的阈值电压参数才能实现对标替代；
c．电流参数：一般主要关注耗尽型MOSFET在一定栅极偏压下的饱和电流大小（相对综合的参数）是否能满足电流的电流需求，饱和电流越大，则越能适配大电流下的应用。
因此，对于耗尽型MOSFET的替代选型，通常“参数是否一模一样”并不是对标选型的固定标准。
4、DMZ42C10S的典型应用方案介绍
a．给DAC芯片/传感器调理芯片供电并提供过压保护
DMZ42C10S适合用于传感器、智能变送器中，给DAC芯片、传感器调理芯片供电，并为负载电路提供浪涌防护，典型应用电路如下：
图3. DMZ42C10S给AD421供电及提供过压保护的典型电路方案
b．恒流/限流应用
DMZ42C10S适合用于构建简易恒流源，以及用于构建限流单元实现过流保护，典型应用方案如下：
图3.DMZ42C10S用于构建恒流及限流保护单元的典型方案
