日前，第三代半导体产业研讨交流峰会暨捷佳伟创——晟光硅研投融资签约仪式在西安国家民用航天产业基地技术转化服务中心圆满举行。天科合达、山西烁科、河北同光、山东天岳、泰科天润等行业龙头企业代表出席会议。深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司向晟光硅研进行战略投资，助力晟光硅研打造成为一个面向泛半导体行业拥有科技承载力和创新驱动发展示范性的高新技术公司。
西安晟光硅研半导体科技有限公司成立于2021年2月，注册资本2133.33万元，公司主营业务为半导体材料及专用设备的研发和销售。主要产品包括围绕第三代半导体晶圆材料的滚圆、切片、划片等设备。作为新一代半导体材料加工设备的技术领先者，晟光硅研拥有半导体加工设备领域核心技术专利9项，其掌握的微射流激光切割技术，已经成功完成6英寸碳化硅晶锭的切割，可实现高效率、高质量、低成本、低损伤、高良品率碳化硅单晶衬底制备，在第三代半导体切割领域具有独创性、开拓性与先导性，将引起全球范围内该领域的技术迭代，具有非常广泛的推广应用价值。
出席会议的企业占据国内第三代半导体碳化硅材料领域主要规模市场，但其市场供应受制于碳化硅的较长生长周期与晶锭切割高损耗等短板，期待通过晟光硅研的专用技术，完成自身的降本增效。
西安航天基地投资合作委员会主任田农对本次投融资签约表示祝贺。他指出，在中美脱钩的大背景下，国内自主创新发展是必由之路，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体一直以来备受市场重视，晟光硅研作为航天基地科技成果就地转化项目，获得了上市公司捷佳伟创的战略投资，并得到行业头部企业的认可，是发展的重要里程碑。
捷佳伟创董事长余仲在签约仪式上表示，随着5G、人工智能、新能源车的快速发展，我国第三代半导体产业也正全面爆发，未来的发展需要前瞻科技，助力初创企业，推动本土创新。面对这个重要历史机遇，捷佳伟创将助力晟光硅研，抓住信息产业半导体材料应用领域最新发展趋势，共同推动中国半导体领域的换道超车。
晟光硅研总经理杨森，在本次活动中首次公开披露技术细节及技术延展路径。微射流激光技术经过晟光硅研团队持续两年的研发，一次切割完成的晶片表面形貌已接近CMP处理水平。并完成9项专利注册，6项原创发明专利的申报，并在切割技术领域已经做好市场推广计划和长期技术升级规划。
据了解，捷佳伟创是一家国内领先的从事晶体硅太阳能电池设备研发、生产和销售的国家高新技术企业。主要产品包括PECVD及扩散炉等半导体掺杂沉积工艺光伏设备、清洗、刻蚀、制绒等湿法工艺光伏设备以及自动化（配套）设备、全自动丝网印刷设备等晶体硅太阳能电池生产工艺流程中的主要及配套设备的研发、制造和销售，2020年度年营业收入40余亿。
本次活动在航天基地管委会领导以及众行业专家的共同见证下，完成了投融资签约仪式，相信在西安航天基地这片科技沃土上能够绽放出更加耀眼的光芒。
