7月14日消息, 2021年国产IP与定制芯片生产大会上,三星电子公开了其3nm制程工艺的规划,其将延后至2023年投产。此前,三星曾表示3nm制程工艺将会在2022年投产。
据三星解释,其在2022年投产的是3nm工艺为3GAE,即3nm gate-all-around early,是早期的试错版本,而三星在2023年推出的是3GAP,即3nm gate-all-around plus,这是3GAE的进阶版本,该版本将会更完善,更能提供成熟的代工产品。
三星的制程工艺相对先进,但其制造出的产品的质量,往往不如人意。其自家的Exynos SoC,就经常出现功耗过大的情况,为高通代工的骁龙888SoC,功耗表现也不及预期,这导致诸多采用该SoC的手机产品,在功耗表现上遭受了消费者的诟病。
另外,三星生产出的芯片的晶体管密度也较低。10nm及更先进的制程工艺,全球只有英特尔、三星和台积电进行了量产。Digitimes专门做了一张图来对比三家的技术演进。
单从晶体管密度这一指标来说,英特尔的7nm工艺,台积电的5nm工艺,三星的3nm工艺几乎在一个水准上。三星的制程工艺虽然和台积电差不多,但晶体管数量上差距很大。
在晶圆代工业务上,三星是靠便宜的的代工价格抢台积电的订单,但以后,三星还要面对英特尔的竞争。英特尔今年发布了IDM 2．0战略,宣布将更多为其他企业进行代工,其会在7月26号举行IntelAccelerated直播活动,将会公布英特尔制程技术与封装产品组合发展路线图等,其入局晶圆代工之后,或会造就一个新的代工格局。
在这三家之中,台积电的代工工艺最为先进成熟,苹果等对自家产品有高要求的企业,代工都是交给台积电,其代工工期也早已排满,股价更是上了天,排在美股第7,比阿里巴巴还高。英特尔和三星将在第二梯队展开激烈竞争,三星3nm工艺继续延期的话,部分订单或会被英特尔7nm工艺抢走。
