据悉Intel方面将改变此前的芯片制造工艺命名规则,以能效比对标台积电,对它的芯片制造工艺进行重新命名,以求在芯片制造工艺方面实现对台积电的反超。

Intel首先会将当下的10nm工艺改进版命名为7nm工艺,据悉Intel的10nm工艺改进版的每瓦特性能可望提升10%-15%,在性能方面其实足以对标台积电的7nm工艺。

Intel如此做在于它在芯片制造工艺的命名上吃了亏,它对于芯片制造工艺的命名严格遵循了摩尔定律,即约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍,对于芯片制造工艺的升级试图严格遵循这一规律,而台积电和三星自14/16nm工艺之后就已不再遵循这一规则,而是仅仅以晶体管gate长度来命名先进工艺,在性能方面的提升已远不如此前的芯片制造工艺。

正是由于台积电和三星在先进工艺的命名上的激进态度,它们的先进工艺不断演进,而试图严格遵守摩尔定律的Intel则卡在性能提升方面而无法如期推进它的10nm、7nm工艺的量产,这也被业界吐槽台积电和三星在先进工艺方面玩弄了数字游戏。

业界猜测,在先进工艺制程命名方面,三星可能更为激进,它的5nm工艺可能远不如台积电的5nm工艺,估计也是因为三星的5nm工艺性能未能达到预期,导致它代工的高通骁龙888芯片出现发热问题。

其实早在台积电推出10nm工艺的时候,Intel就曾列出它的14nm工艺改进版与台积电的10nm工艺的参数对比,不过业界对此反映冷淡,此后台积电每1-2年就升级一代工艺,先后投产了7nm、5nm工艺,而Intel的10nm则延迟了5年时间至2019年才投产,如今Intel的7nm工艺又再次延迟到2021年投产,在芯片制造工艺的研发上显然落后于台积电的进展。

针对台积电、三星和Intel的芯片制造工艺差距,日前台湾媒体digitimes就曾对三家企业的芯片制造工艺做了对比,它主要以晶体管密度(每平方毫米晶体管数量)作为参考指标,对比了三家企业的10nm、7nm、5nm、3nm、2nm,其中Intel的5nm和3nm为预估值,台积电和三星的3nm、2nm工艺为预估值。

digitimes的分析认为,在10nm工艺上,Intel的晶体管密度就已领先于三星和台积电,此后双方的差距在的差距逐渐拉大。据digitimes的分析,它认为就晶体管密度而言,台积电和三星的7nm工艺还稍微落后于Intel的10nm工艺,到了5nm工艺上三星又与台积电拉开了差距,它认为三星的3nm工艺才接近台积电的5nm工艺和Intel的7nm工艺。

显然如今Intel似乎吸取了这种营销的教训,对芯片制造工艺的命名作出了修改,除了将10nm工艺改进版命名为7nm工艺之外,它将到明年投产的原7nm工艺则命名为4nm工艺。

Intel、台积电和三星三家芯片制造厂对芯片制造工艺的命名游戏,凸显出三家芯片制造企业的激烈竞争关系,只是Intel如今修改芯片制造工艺的命名规则势必会引发巨大的争议,而台积电和三星会不会也因此而修改命名规则,比赛下各自的数字游戏呢?