据韩国媒体《THEELEC》报导指出，三星电子在23 日举行的在全球半导体产业会议Hotchips 33 上宣布，三星电子将于2022 年底开始量产8 层堆叠的DDR5内存芯片。

据介绍，该8层堆叠的DDR5内存芯片将使用其矽通孔(TSV) 技术，将512GB DDR5 内存模组进一步堆叠起来。而目前该公司已经生产出采用TSV 技术4 层堆叠的DDDR4内存芯片，整个芯片的厚度仅1.2cm。

报导引用三星的说法表示，尽管可堆叠到8 层DDR5 记忆体模组，但整个DDR5内存芯片仍将比1cm更薄。而且与DDR4内存芯片相较，新的DDR5内存芯片还将具有更好的散热功能，而这要归功于新型材料的应用所导致。另外，三星还在模组中也采用自己开发的新款电源管理IC 来降低噪音，并使其有较优秀的功耗性能。

报导进一步指出，三星新的8 层堆叠DDR5内存将具有7.2Gbps 的资料传输速度。三星还应用了一种称为决策反馈均衡器的技术，以进一步提升数据传输速率，并保信号的稳定状况。另外，三星还强调，新的DDR5内存模组将以数据中心的服务器市场需求为主要供应对象。