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三星宣布2022年底前量产8层TSV技术堆叠的DDR5芯片,传输速度高达7.2Gbps
2021-08-27 来源:中电网
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关键词:三星DDR5芯片

据韩国媒体《THEELEC》报导指出,三星电子在23 日举行的在全球半导体产业会议Hotchips 33 上宣布,三星电子将于2022 年底开始量产8 层堆叠的DDR5内存芯片。

据介绍,该8层堆叠的DDR5内存芯片将使用其矽通孔(TSV) 技术,将512GB DDR5 内存模组进一步堆叠起来。而目前该公司已经生产出采用TSV 技术4 层堆叠的DDDR4内存芯片,整个芯片的厚度仅1.2cm。

报导引用三星的说法表示,尽管可堆叠到8 层DDR5 记忆体模组,但整个DDR5内存芯片仍将比1cm更薄。而且与DDR4内存芯片相较,新的DDR5内存芯片还将具有更好的散热功能,而这要归功于新型材料的应用所导致。另外,三星还在模组中也采用自己开发的新款电源管理IC 来降低噪音,并使其有较优秀的功耗性能。

报导进一步指出,三星新的8 层堆叠DDR5内存将具有7.2Gbps 的资料传输速度。三星还应用了一种称为决策反馈均衡器的技术,以进一步提升数据传输速率,并保信号的稳定状况。另外,三星还强调,新的DDR5内存模组将以数据中心的服务器市场需求为主要供应对象。



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