Fujitsu推出新款8Mbit FRAM存储器,支持高达100万亿次写入次数
2021-11-24
来源:21IC电子网
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关键词:FRAM存储器
(全球TMT2021年11月24日讯)Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited已推出带并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2TA存储器,这也是Fujitsu首款支持100万亿次读/写周期的FRAM系列产品。
MB85R8M2TA存储器配有与SRAM兼容的并行接口,可在1.8V-3.6V的电源电压范围内工作。新款FRAM在快页模式下可实现25ns的访问时间,因此在持续数据传输时的访问速度可与SRAM相媲美。与Fujitsu的传统产品相比,该存储器实现了高速运行(访问速度提高约30%)和低功耗(工作电流减少10%)。这款存储器IC是SRAM的理想替代产品,可用于需要高速运行的工业机器。
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