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达摩院突破冯·诺依曼架构性能瓶颈,新型AI芯片性能提升10倍
2021-12-06 来源:钛媒体
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关键词:达摩院性能瓶颈

12月3日消息,达摩院成功研发新型架构芯片。该芯片是全球首款基于DRAM的3D键合堆叠存算一体AI芯片,可突破冯·诺依曼架构的性能瓶颈,满足人工智能等场景对高带宽、高容量内存和极致算力的需求。在特定AI场景中,该芯片性能提升10倍以上,能效比提升高达300倍。

  达摩院研发的存算一体芯片集成了多个创新型技术,是全球首款使用混合键合3D堆叠技术实现存算一体的芯片。该芯片内存单元采用异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM),拥有超大带宽、超大容量等特点;计算单元方面,达摩院研发设计了流式的定制化加速器架构,对推荐系统进行“端到端”的加速,包括匹配、粗排序、神经网络计算、细排序等任务。

  得益于整体架构的创新,该芯片同时实现了高性能和低系统功耗。在实际推荐系统应用中,相比传统CPU计算系统,存算一体芯片的性能提升10倍以上,能效提升超过300倍。该技术的研究成果已被芯片领域顶级会议ISSCC 2022收录,未来可应用于VR/AR、无人驾驶、天文数据计算、遥感影像数据分析等场景。



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