为进一步巩固功率半导体市场竞争优势，昨日，英飞凌（Infineon）宣布将大幅提升宽能隙（碳化硅和氮化镓）半导体的产能，欲斥资逾20 亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区。建成之后，新厂区将用于生产碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体产品，每年可为英飞凌创造20 亿欧元收入。

英飞凌营运长Jochen Hanebeck 表示，再生能源和电动汽车是推动功率半导体市场持续强劲增长的主要驱动力，英飞凌透过扩大碳化硅和氮化镓功率半导体的产能，为迎接宽能隙半导体市场的快速发展做好准备。

此次扩建是英飞凌根据长期战略而做出的决策，居林工厂的投资扩产将进一步强化公司整体的竞争优势。目前英飞凌已向3,000 多个客户提供基于碳化硅的半导体产品，这些产品被广泛应用于各个领域，为客户创造了更高的价值。

英飞凌表示，目标至本世纪20 年代中期，碳化硅功率半导体的销售额将提升至10 亿美元；同时，氮化镓市场预计也将迎来激增。根据市调机构研究，氮化镓将从2020 年的4,700 万美元增至2025 年的8.01 亿美元，年复合成长率为76%。

英飞凌进一步表示，居林新厂区满负荷运转之后，将创造900 个高价值型就业机会。新厂区将于今年6 月开始施工，在2024 年夏季进行设备安装。首批晶圆将于2024 年下半年开始出货，对居林工厂的新增投资主要用于磊晶制程和晶圆切割等具有高附加值的环节。

至于奥地利菲拉赫工厂，英飞凌指出，在未来几年将透过改造现有的硅晶圆制造设备，进一步强化其做为宽能隙半导体技术全球能力中心和创新基地的角色。透过重新利用非专用的硅晶圆生产设备，将6 吋和8 吋的硅晶圆生产线转做为碳化硅和氮化镓元件的生产线；菲拉赫工厂目前正为迎接进一步的成长做准备。